场效应管工作原理及结构，由浅入深进行分析，初学者也能学会

场效应管实物图片

场效应管工作原理及结构介绍

MOS管是英文Metal-Oxide-Semiconductor的简称，汉译：金属-氧化物-半导体。

FET是英文Field Effect Transistor的简称，汉译：场效应晶体管或场效应管。

场效应管分为：金属-氧化物-半导体场效应管(MOS-FET)和结型场效应管（junction FET简称JFET）。

金属-氧化物-半导体场效应管

金属-氧化物-半导体场效应管(MOS-FET)分为：N沟道和P沟道 。

N沟道和P沟道又分为：N沟道增强型和P沟道增强型，N沟道耗尽型和P沟道耗尽型。

结型场效应管

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出电流的一种半导体器件，并以此命名。它仅靠半导体中的多数载流子导电，因此又称为单极型晶体管。FET因基制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻高等优点，在国民经济中应用广泛。

结型场效应管分为：N沟道和P沟道 。

N沟道和P沟道又分为：N沟道耗尽型和P沟道耗尽型。

场效应管的特点：

1、场效应管是电压控制电流的器件，栅极电压控制漏极电流；

2、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻超大；

3、它是利用多数载流子导电，因此它有较好的温度稳定性；

4、放大电路中的电压放大系数小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

5、场效应管的抗辐射能力强；

6、噪声低。

MOS-FET引脚定义

N沟道MOSFET

P沟道MOSFET

总结：有相交线的是源极，独立的是栅极或门极，剩下一个就是漏极，箭头朝里是N沟道，箭头朝外是P沟道。

MOS-FET寄生二节管方向

N沟道由S指向D

p沟道由D指向S

总结：二极管方向对于N沟道由S指向D，对于P沟道由D指向S，衬垫箭头方向和寄生二极管箭头方向一致。

MOS-FET电流方向

电流方向由D到S

电流方向由S到D

总结：电流方向对于N沟道由D指向S，对于P沟道由S指向D。因此，电流方向与寄生二极管反向，如果与寄生二极管同向，则电流直接流出，MOS管就失去了作用。