三星第二代10nm LPP工艺完成质量验证，即将进入量产阶段

2016年10月三星宣布正式量产10nm工艺处理器，首先享用到第一代10nm LPE工艺的是自家Exynos 8895 SoC和高通骁龙835 SoC，与此时同时的Intel和台积电还在玩14、16nm。今年三月，外媒ETnews报道三星对于10nm工艺一次性扩建投资甚至达到150亿人民币，意味着三星在半导体工艺上有新的大动作。今天三星正式宣布已经完成了第二代10nm LPP工艺的质量验证工作，即将进入量产阶段。

早前Intel曾经炮轰过其它的厂商在半导体工艺上以命名取胜，实际情况是TSMC 20nm、16nm及三星14nm工艺的栅极距、鳍片间距、金属栅距及逻辑芯片高度等等指标，都全面落后于Intel，尤其是在晶体管密度上是其他家工艺的1.3倍。

三星的10nm工艺应该能很大程度上弥补了之前的不足，根据之前的说法是第一代10nm LPE（Low Power Early）与14nm制程相比，10nm制程制造的芯片性能提升27%，同时功耗降低达40%，并且10nm制程允许每个晶圆多制造30%的芯片。而第二代10nm LPP（Low Power Plus）工艺的量产难题已经被攻克，三星已经开始在韩国汉城的S3生产线上部署相关设备，量产在即。

不过LPE和LPP之间并不是取代关系，因为LPE用的就是低功耗技术，制造出来的芯片更适合用于移动端，而LPP追求的是高性能，更加适合用于对功耗不敏感的设备上，此外第三代10nm LPU制程的研发工作早已提上日程，而LPU更加合适用于高性能、密集型计算应用上。