高通骁龙660跑分曝光，秒杀前旗舰骁龙820

高通在本月初发布了骁龙660这款中端处理器，其实光从CPU的规格上来看把它称为高端处理器也不为过，现在Geekbench上出现了骁龙660的测试成绩，跑分已经把前旗舰骁龙820给秒了。

Geekbench上已经有数个搭载骁龙660的设备的跑分结果，应该都出自同一设备，这款设备使用Android 7.1.1系统，3GB内存，骁龙660的单线程成绩为1597到1609，多线程成绩为5455到5670，单线程成绩已经快追平骁龙820了，与821还有些距离，不过多线程方面由于骁龙660是个八核处理器，所以得分比四核的骁龙820/821高得多，当然了GPU性能肯定还是有区别的，就如当年骁龙652的CPU和骁龙810几乎一样的，但是GPU差了一截。

高通骁龙660主要取代骁龙650、653成为骁龙600系最高级别SoC，为14nm LPP工艺制程，为八个Kryo 260核心，由四个基于ARM的BoC半定制化Cortex-A73大核，最高2.2GHz主频，加上四个主频1.8GHz的半定制化Cortex-A53小核组成big.LITTLE架构，性能相比老款提升20%。

GPU为Adreno 512，图形性能比Adreno 510提升30%，支持Vulkan图形API，最高支持2560*1600分辨率的屏幕。内存支持到双通道LPDDR4 1866，DSP用到和去年骁龙820上相同的Hexagon 680，支持HVX技术，用于改善图片和视频处理。

支持Quick Charge 4.0快充技术，相比QC 3.0加快了20%充电速度和提升30%效率。无线方面支持蓝牙5.0、2*2 MU-MIMO 802.11ac Wi-Fi和改进的RF前端等。支持到高通骁龙X12 LTE基带，上行为CAT.12，支持3*20MHz聚合载波、256-QAM，峰值速率600Mbps，上行为CAT.13，支持高通Upload+技术、2*20MHz聚合载波、256-QAM，峰值速率150Mbps。