三星S8恐无缘 高通骁龙835新旗舰、QC4.0快充曝光

新闻总是来的那么突然，高通官方微博在17日晚上21时突然宣布，下一代骁龙835处理器来了，和骁龙835一起发布的还有高通最新的快充协议QC4.0。关于骁龙835的信息并不多，倒是QC4.0的内容足够丰富的。但不管怎么说，这么一来骁龙821似乎有点短命啊，有些新手机还没发布，高通就把产品线更新了。

和每一代新旗舰直接命名为8X0的方式不同，这次直接将处理器的型号定为835，这次高通将继续选择由三星代工，采用10nm Finfet工艺。根据介绍，从14nm进化到10nm将提升30%的面积利用率、提升27%的性能并且降低40%的功耗。

由于这并不是骁龙835正式发布，仅仅是高通宣布与三星合作采用10nm工艺而已，所以关于骁龙835的相关特性并没有被披露，只能另外等待高通介绍这款芯片的相信规格了。

关于很多媒体预测的骁龙835由三星GS8首发，评价君认为过于乐观：高通宣布搭载高通骁龙835的终端将于2017年上半年出货，那么明年第一季度就发布的三星Galaxy S8很可能因为时间关系无缘首发，只能继续使用骁龙82X系列处理器。毕竟对三星手机来说，骁龙只不过是个客串而已，自家的Exynos才是主角。

有意思的是这次虽然没有了解骁龙835的性能规格，倒是先知道了很多关于QC4.0的信息。首先硬件上，QC4.0快充将通过骁龙835搭配高通自家的SMB1380和SMB1381两个芯片实现，为充电提供3重电流防护、4重过热保护并且支持3挡电压调节，还新增了连线质量检测机制。

有点意外的是QC4.0将兼容USB-PD快充，也就是说将兼容低电压大电流的充电方式，最大充电电流将达到5A——是不是想到了不久前刚发布的某款手机？看来高通也认为不受硬件平台限制的USB-PD快充才是手机厂商们最青睐的。

官方介绍说QC4.0通过高通的INOV电源管理算法调节实时调节充电功率，充电速度将比现有的QC3.0提升20%；同时也升级了电池保护技术，电池在500次循环充放之后还将有至少80%效能。目前知道的主要信息大概就是这些了。