Q3季度DRAM内存产值再创新高：显存降了3%，DDR4依然微涨

此前有报道称10月份DRAM内存现货价格终于降价了，4GB及8GB内存模组降幅约为10%，预计2019年还会再降20%，内存市场将迎来拐点。不过今年Q4季度即便内存降价，前三个季度的内存依然是上涨，所以DRAM厂商今年的整体营收及盈利依然会创纪录提升，Q3季度中显存因为挖矿降温出现了3%左右的降幅，DDR3因为需求弱而跌价之外，包括标准内存、服务器内存及移动在内的内存依然涨了0-2%不等，全球DRAM内存产值达到了280亿美元，同比增长9%，其中三星以45.5%的份额继续保持第一。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发布了Q3季度全球DRAM内存市场报告，2018年第三季DRAM整体产业营收较上季成长9%，再创历史新高。观察各产品类别的报价走势，除了图显内存(graphic DRAM)受到虚拟挖矿(cryptocurrency)需求骤减与基期太高的影响，出现3%左右的跌幅，以及消费性市场应用主流DDR3因需求转弱而率先走跌外，其余主流应用别的内存（包含标准型、服务器、行动式内存）仍维持0-2%的季涨幅。

DRAMeXchange指出，有别于过去两年多来营收成长主要由报价上扬所带动，由于DRAM产能已在下半年陆续开出，第三季价格涨幅基本已接近持平，因此营收成长主要来自于位元出货量的持续提升。展望第四季，10月份的DRAM合约价已经正式走跌，除了宣告DRAM价格涨势告一段落，供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未完全消化前，2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。

从营收角度观察，DRAMeXchange指出，在产业迈向反转之际，小厂受到的冲击较龙头厂来得实时且剧烈，因此大小厂商的表现在第三季开始出现分歧。产业龙头三星受惠于新增产能逐渐放量，位元出货成长显著，尽管平均销售单价未有明显变化，但营收仍较上季成长13.6%，来到127.3亿美元的新高，在三大厂中表现最为亮眼。而SK海力士在产出提升及平均销售单价小幅上扬1%的助力下，营收季增6.0%至81.5亿美元。两大韩厂营收市占分别为45.5%与29.1%，合计约74.6%。

美光集团依旧维持第三，虽然销售单价约略持平，但位元出货提升仍带动营收来到59.2亿美元，较前一季成长6.8%，市占率则约略持平在21.1%。

观察原厂获利能力，即便第三季平均销售单价的涨幅已大幅收敛，然各厂仍持续靠着转进先进制程优化成本结构，使得营业利益率仍较前一季上扬。三星的1Ynm在第三季开始出货，因新一代制程在量产初期通常良率较低，拖累部分获利表现，导致三星的营业利益率在三大原厂中成长幅度最小，由前一季的69%微幅上升至70%，但仍创下历史新高，亦显示生产DRAM的毛利已突破八成水位。

至于SK海力士，本季1Xnm的良率显著提升，带动营业利益率从63%成长至66%，表现最为亮眼。美光受惠1Xnm的比重持续提升，拉抬营业利益率从60%升至62%。三大原厂营业利益率持续刷新纪录，但在第四季DRAM价格已正式反转向下且跌幅显著的情况下，成本优化可能已无法抵销报价下滑的冲击，因此原厂获利的高点恐已结束。

由技术面观察，三星今年除了维持1Xnm制程高产出比重外，部分Line 17增加的投片以及平泽厂二楼的DRAM产能，将往下一代1Ynm制程转进。随着平泽厂产能于今年下半年陆续开出，1X+1Ynm产出比重在年底合计将达70%，并于2019年持续提升1Ynm占比。SK海力士经过两个季度的调整与改良，1Xnm良率在第三季显著提升，而中国无锡的第二座12英寸厂仍照进度将于年底前完工，并于2019上半年开始贡献产出，但受到中美贸易摩擦的影响，无锡厂扩增投片的脚步不会太积极。而美光方面，台湾美光存储器(原瑞晶)已全数以1Xnm生产，下一步将直接转往1Znm，但实际贡献将落在2020年；台湾美光晶圆科技(原华亚科)已于第二季进行20nm往1Xnm的转换，年底前将开始转往1Ynm，并于明年逐步提升比重。

台系厂商部分，南亚科第三季出货量小幅下滑，使营收表现较前一季衰退3.7%。不过在20nm的成本效益带动下，营业利益率仍旧由上一季的46.8%大幅提升至51.0%。然而，受到DRAM报价反转向下影响，加上南科扩厂的折旧费用要开始摊提，获利能力要再攀升恐有一定压力。

力晶科技方面，由于第三季转移较多产能至获利较好的SLC NAND与非DRAM代工产品，因此本身DRAM营收较上季下滑13.3%；华邦DRAM营收则约略持平，出货量和平均销售单价皆呈现稳定。