全球5nm旗舰芯片大翻车!但这个锅:却要芯片代工厂商背了?
【1月28日讯】导语,自从小米、IQOO、三星等知名手机厂商纷纷推出了骁龙888旗舰手机以后,也让很多消费者以及各大评测机构,开始对高通首款旗舰级5G SOC有了全面认知,但似乎各大评测机构都给出了一致的答案,那就是高通骁龙888处理器翻车了,为何这么说呢?因为高通骁龙888处理器整体性能提升并不明显,但功耗、发热量方面却明显增加,并没有将5nm工艺优势彻底地发挥出来,甚至还不如7nm工艺骁龙865芯片的性能表现,当然不仅仅是高通骁龙888处理器存在翻车问题,其实麒麟9000、苹果A14、三星猎户座2100等芯片产品,都存在或多或少的发热、功耗过大的问题,但这三款芯片的翻车现象都没有高通骁龙888处理器那么严重。
为何全球5nm工艺的旗舰芯片都会出现翻车现象呢?
根据业内人士透露,这也是因为目前三星、台积电5nm工艺制程均采用了老迈的鳍式场效应晶体管(FinFET)技术,所以在芯片制程工艺越来越高的情况下,晶体管的沟道长度也将会被进一步缩短,从而出现短沟道效应,造成漏电现象发生,进而出现发热、功耗过大的问题,但如今三星、Intel均纷纷表示,将会在未来的3nm工艺制程(Intel则在5nm工艺制程)中,采用全新的环绕栅极晶体管(GAAFET)技术,以解决目前老迈的鳍式场效应晶体管(FinFET)技术存在的短板问题。
确实从目前台积电、Intel、三星等芯片代工巨头的实力来看, 都无法解决鳍式场效应晶体管(FinFET)技术的短板问题,因为在采用越来越先进芯片制程工艺下,其晶体管的沟道长度也将越短,进而出现漏电现象,但全新的环绕栅极晶体管(GAAFET)技术则可以解决这个问题,因为环绕栅极晶体管(GAAFET)技术的阈值电压会低很多,所以可以减少发热量以及功耗过大的问题;
但从目前台积电方面来看,似乎台积电还会继续死守鳍式场效应晶体管(FinFET)技术,毕竟以目前台积电5nm、7nm工艺芯片的发热、功耗表现来看,确实也是更加优秀。
最后:对于全球5nm旗舰芯片出现翻车现象一事,各位小伙伴们,你们对此都有什么样的看法和意见呢?欢迎在评论区中留言讨论,期待你们的精彩评论!
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