【分析】2017年和2018年全球300mm硅片的需求分别为550万片／月和570万片／月，预计未来几年硅片的缺货将是常态
由于这两年国内半导体行业需求，加之晶圆厂家陆续建成，高端硅片大厂2016年没有大规模扩建和投产计划，2017年晶圆必备使用基础材料--硅片将成为晶圆厂家必争之地，涨价将成为新常态！
预期大陆晶圆厂对硅晶圆庞大需求将在2017年下半年浮现，且新建硅晶棒铸造炉至少要一年半以上时间。 在此一情况下，第二季硅晶圆合约价续涨已有共识，下半年价格涨幅还会再扩大，部份半导体厂更决定直接签下一年长约。
2014年以来，全球硅片的市场开始复苏，但是硅片产业近年来仍是亏多赚少，各大硅片厂都无力进行扩产的动作，所以全球硅片的产量增长缓慢，未来三年的复合增速在2－3％左右，对应2017年和2018年300mm硅片的产能为525万片／月和540万片／月。根据SUMCO的数据，2016下半年全球300mm硅片的需求已经达到520万片／月，2017年和2018年全球300mm硅片的需求分别为550万片／月和570万片／月，预计未来几年硅片的缺货将是常态。
硅片等级标准
一、优等品
1：硅片表面光滑洁净。
2：TV：220±20μm。
3：几何尺寸： 边长125±ffice:smarttags" /><?xml:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com[img][/img]0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm； 边长103±0.5mm、对角135±0.5mm； 边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3。
二、合格品
一级品：
1：表面有少许污渍、轻微线痕。
2：220±20μm ≤TV≤220±30μm。
3：几何尺寸： 边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm； 边长103±0.5mm、对角135±0.5mm； 边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5。
二级品：
1：表面有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。
2： 220±30μm ≤TV≤220±40μm。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30μm。
4：崩边范围：崩边口不是三角形状，崩边口长度≤1mm，深度≤0.5mm
5：几何尺寸： 边长125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm； 边长103±0.52mm、对角135±0.52mm； 边长150±0.52mm 、156±0.52mm、对角203±0.52mm、200±0.52mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8。
三级品：
1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅落现象。
2：220±40μm ≤TV≤220±60μm。
3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落或部分硅晶脱落。
三、不合格品
严重线痕、厚薄片：TV＞220±60μm。
崩边片：有缺损但可以改Φ103的硅片。
气孔片：硅片中间有穿孔 。
外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。
倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差>1.5mm。
菱形片（垂直度）：任意两边的夹角>90°±0.8。
凹痕片：硅片两面凹痕之和＞30μm。
脏 片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑。
尺寸偏差片：几何尺寸超过二级品的范围。
硅片基本资料
线痕====硅片在切割过程中硅片表面被划伤所留下的痕迹
崩边=====chip晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘长生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出。
污片：用清洗溶剂清洗不能除去的表面脏污
穿孔：在对光源观察时，晶片表面有用针或似用针刺的小孔。
微晶:1CM单位长度上个数超过5个。
隐裂：硅片表面存在不贯穿的隐形裂纹，裂纹宽度大于0.1MM。
翘曲度：晶片中心面与基准平面之间的最大和最小距离的差值。翘曲度是晶片的体性质而不是表面特征。
厚度：通过晶片上已给定点垂直于表面方向穿过晶片的距离。
总厚度变化TTV：在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，所测晶片的最大厚度与最小厚度的绝对差值、
密集型线痕：垂直线横方向每厘米存在5条线痕以上。
电阻率：单位体积的材料对于两行平行面垂直通过的电流的阻率，符号为P，单位为欧。CM
少数载流子寿命：晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数流子浓度衰减到起始值的1/E{E=2.718}所需时间。又称少数载流子寿命，体寿命。
生长方式;DSS
导电型号、掺杂剂：P/BORON
对角线;219.2+-0.5
TTV：小于或等于30UM
线痕：小于或等于20UM
崩边;崩边深度小于或等于0.3MM，长度小于或等于0.5MM，最多2个/片
翘曲度;小于或等于50UM
微晶;单个微晶面积小于3乘以3MM平方，整个微晶区域面积小于3乘以3的平方厘米
表面质量：表面无损失，无污点、无水渍、无污渍、
THICK:平均厚度
THICK.PT:5点厚度
TTVPT：5点平均
SM：线痕
W:波浪
BO：翘曲
CH；小崩边
BR：破裂
H：气孔
硅片生产流程
简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。
工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。