写在前面：本博文是华南理工大学电子与信息学院《数字电子技术》Chapter3CMOS门电路的总结与笔记

文章目录

1. CMOS反相器电路结构和工作原理
- 1.1 CMOS反相器电压传输特性和电流传输特性
- 1.2 输入端噪声容限
- 1.3 CMOS反相器静态输入特性和输出特性
2.其他类型的CMOS门电路
- 2.1 各种逻辑功能的CMOS门电路
- - 2.1.1 CMOS与非门
  - 2.1.2 CMOS或非门
  - 2.1.3 CMOS与非门和或非门三个问题的解决方法及原理
- 2.2 漏级开路输出门电路(OD门)
- - 2.2.1 OD门重要应用：实现线与功能
  - 2.2.2 上拉电阻范围的计算
  - 2.2.3 总结：OD门的特点以及应用
- 2.3 CMOS传输门
- 2.4 三态输出的CMOS门电路
【博主重新复习Chapter 3时的一些再总结】

1. CMOS反相器电路结构和工作原理

在数电中，我们使用MOS管主要是用它的开关特性
来看看MOS管的开关等效电路（以N沟道增强型MOS管为例）

下面我们来看看CMOS反相器的构造：

CMOS反相器主要是由上方的P沟道增强型MOS管和下方的N沟道增强型MOS管构成
在这里记录一个在后面博文中的分析都可以用得上的分析方法：

对于P沟道MOS管而言，当g极和s极的电压为低电平时，该管视为导通
对于N沟道MOS管而言，当g极和s极的电压为高电平时，该管视为导通

那么下面我们来分析一下这个结构到底怎么就能够被称为反相器了：
首先， v 1 v_1 v1为输入， v 0 v_0 v0为输出，当 v 1 v_1 v1为低电平时，下方的增强型N沟道MOS管截止（我们视MOS管截止的等效电阻 R O F F R_{OFF} ROFF非常大，上方的MOS管导通（我们视MOS管的导通电阻 R O N R_{ON} RON << R O F F R_{OFF} ROFF），因此， v 0 v_0 v0的电压就等于下方MOS管截止电阻的电压： v 0 = R O F F R O F F R O N V D D ≈ V D D v_0 = \frac{R_{OFF}}{R_{OFF} R_{ON}}V_{DD} ≈ V_{DD} v0=ROFF RONROFFVDD≈VDD
即在输入电压为低电平时，输出电压为高电平

如果反过来，输入电压 v 1 v_1 v1为高电平，那么上方MOS管§截止，下方MOS管(N)导通，那么 v 0 v_0 v0的电压即为： v 0 = R O N R O N R O F F V D D ≈ 0 v_0 = \frac{R_{ON}}{R_{ON} R_{OFF}}V_{DD} ≈ 0 v0=RON ROFFRONVDD≈0
即在输入电压为高电平时，输出电压为低电平

输入 v 1 v_1 v1	输出 v 0 v_0 v0
0（低电平）	1（高电平）
1（高电平）	0（低电平）

1.1 CMOS反相器电压传输特性和电流传输特性

AB段：输入为低电平，即 v I v_I vI < u G S ( t h ) N u_{GS(th)N} uGS(th)N，T2截止，T1导通，输出为高电平
BC段： v G S ( t h ) N < v I < V D D − u G S ( t h ) P v_{GS(th)N} < v_I < V_{DD} - u_{GS(th)P} vGS(th)N<vI<VDD−uGS(th)P，T1,T2同时导通，且当 v I = 1 2 V D D v_I = \frac{1}{2}V_{DD} vI=21VDD时， v o = 1 2 V D D v_o = \frac{1}{2}V_{DD} vo=21VDD
CD段：输入为高电平，T2导通，T1截止，输出为低电平

1.2 输入端噪声容限

其实在多级的门电路中，前一级门电路的输出电压就是后一级的输入电压，我们看1.1节的那个电压传输特性图，当输入的低电平电压高于一定的范围时，输出的高电平还不会立刻变化，就还是高电平；当输入的高电平低于一定的范围时，输出的低电平也不会立刻变化，还是维持低电平。那么也就是说门电路对输入的高低电平的范围有一定的“容忍程度”，也叫做噪声容限

输出为高电平时的噪声容限为： V N H = V O H ( m i n ) − V I H ( m i n ) V_{NH} = V_{OH(min)} - V_{IH(min)} VNH=VOH(min)−VIH(min)
输出为低电平时的噪声容限为： V N L = V O L ( m a x ) − V I L ( m a x ) V_{NL} = V_{OL(max)} - V_{IL(max)} VNL=VOL(max)−VIL(max)

1.3 CMOS反相器静态输入特性和输出特性

在应用反相器时要加上保护电路：

2.其他类型的CMOS门电路

2.1 各种逻辑功能的CMOS门电路

2.1.1 CMOS与非门

上图所示是CMOS与非门电路，我们来分析一下：
通过电路结构可知： T 1 , T 3 T_1, T_3 T1,T3之间只要有一个导通，那么它们所在的支路就导通；而 T 2 , T 4 T_2, T_4 T2,T4之间必须要全部导通，它们所在支路才能导通

当：A = 0；B = 0时： T 1 , T 3 T_1, T_3 T1,T3导通， T 2 , T 4 T_2, T_4 T2,T4截止，则Y输出高电平1
当：A = 1；B = 0时： T 3 , T 2 T_3, T_2 T3,T2导通， T 1 , T 4 T_1, T_4 T1,T4截止，则Y输出高电平1
当：A = 0；B = 1时： T 4 , T 1 T_4, T_1 T4,T1导通， T 2 , T 3 T_2, T_3 T2,T3截止，则Y输出高电平1
当：A = 1；B = 1时： T 2 , T 4 T_2, T_4 T2,T4导通， T 1 , T 3 T_1,T_3 T1,T3截止，则Y输出低电平0

A	B	Y
0	0	1
1	0	1
0	1	1
1	1	0

以上是与非门的形式，可以有多个输入，只要保持上图这种样式就行

但是，这样的与非门有三个问题：
首先，我们来计算一下当A,B为不同输入时电路的输出电阻：
当A = 0, B = 0时，T1, T3导通， R 0 = R O N 3 / / R O N 1 = 1 2 R O N R_0 = R_{ON3} // R_{ON1} = \frac{1}{2}R_{ON} R0=RON3//RON1=21RON
当A = 0, B = 1时，T1，T4导通， R 0 = R O N 1 = R O N R_0 = R_{ON1} = R_{ON} R0=RON1=RON
当A = 1, B = 0时，T2，T3导通， R 0 = R O N 3 = R O N R_0 = R_{ON3} = R_{ON} R0=RON3=RON
当A = 1, B = 1时，T2,T4导通， R 0 = R O N 2 R O N 4 = 2 R O N R_0 = R_{ON2} R_{ON4} = 2R_{ON} R0=RON2 RON4=2RON
通过上面的分析可见，输入状态的不同居然会导致电路的输出电阻有这么大的差异！

接着，我们发现输入端的数目越多，输出为低电平时串联的导通电阻越多，那么就会导致低电平 V O L V_{OL} VOL越高；输出为高电平时，并联的导通电阻也越多，输出高电平 V O H V_{OH} VOH也提高

最后一个问题：
输入端工作状态的不同对电压传输特性也有一定的影响

2.1.2 CMOS或非门

我们再来看看或非门：

A = 0,B = 0: T 1 , T 3 T_1, T_3 T1,T3导通， T 2 , T 4 T_2,T_4 T2,T4截止，输出高电平1
A = 0,B = 1: T 1 , T 4 T_1, T_4 T1,T4导通， T 2 , T 3 T_2,T_3 T2,T3截止，输出低电平0
A = 1,B = 0时， T 2 , T 3 T_2,T_3 T2,T3导通， T 1 , T 4 T_1,T_4 T1,T4截止，输出低电平0
A = 1,B = 1时， T 2 , T 4 T_2, T_4 T2,T4导通， T 1 , T 3 T_1,T_3 T1,T3截止，输出低电平0

A	B	Y
0	0	1
0	1	0
1	0	0
1	1	0

而或非门也存在上述三种的三种问题

2.1.3 CMOS与非门和或非门三个问题的解决方法及原理

为了解决上述的三种问题，我们给与非门或或非门的输出输出端加上一个反相器：
下图是加了缓冲器后构成的与非门：

然后，我们来分析一下这样做有什么好处：
首先，当我们的的Y’ = 0时，T9导通，T10截止，输出的Y = 1，电路的输出电阻为 R 0 = R O N 9 = R O N R_0 = R_{ON9} = R_{ON} R0=RON9=RON
输出电压为： V O H = R O F F 10 R O N 9 R O F F 10 V D D ≈ V D D V_{OH} = \frac{R_{OFF10}}{R_{ON9} R_{OFF10}}V_{DD} ≈ V_{DD} VOH=RON9 ROFF10ROFF10VDD≈VDD
当Y’ = 1时，T10导通，T9截止，输出电阻为： R 0 = R O N 10 = R O N R_0 = R_{ON10} = R_{ON} R0=RON10=RON
输出电压 V O L ≈ 0 V_{OL} ≈ 0 VOL≈0
我们发现在加了缓冲器之后，输出电阻就不收输入端数目以及状态的影响了，不管输入端有几个，也不管输入端的状态是什么，输出电阻都为 R O N R_{ON} RON
另外，当Y = 1时，高电平电压也是不变的；Y=0时，低电平也是不变的

我们知道，原电路的三个缺点是由输出端反相器解决的，那么输入端的反相器有什么用？
答案是：用于将或非门变成与非门

Y = (A*B)’

Y = (A B)’

2.2 漏级开路输出门电路(OD门)

首先，我们令 R O F F > > R L > > R O N R_{OFF} >> R_{L} >> R_{ON} ROFF>>RL>>RON(上拉电阻是必须要的）

中间的内部逻辑部分相当于与门；当A, B只有一个为低电平时， T N T_N TN截止，输出高电平 V D D 2 V_{DD2} VDD2
因此，OD门的逻辑可以描述成： Y = ( A B ) ′ Y = (AB)' Y=(AB)′
同时，大家有没有注意到：当我们由于 V D D 2 V_{DD2} VDD2的取值可以不同于 V D D 1 V_{DD1} VDD1，因此，我们可以轻松地将输入的高低电平： V D D 1 / 0 V_{DD1} / 0 VDD1/0转化为输出的高低电平： V D D 2 / 0 V_{DD2} / 0 VDD2/0

2.2.1 OD门重要应用：实现线与功能

普通的CMOS门电路不能将输出端并联，但是OD门之间可以将输出端并联

我们可以这样分析：Y端的电压既可以是Y1端的电压，也可以是Y2端的电压，取决于那个端电阻小（这样从 V D D V_{DD} VDD出发的电流就会往Y1或Y2支路电阻小的那边流过）

那么，当Y1 = 0，Y2 = 1时，即上方管子导通，下方管子截止，那么从 V D D V_{DD} VDD出发的电流就会流过上方管子（因为 R O N < < R O F F R_{ON} << R_{OFF} RON<<ROFF)，因此，输出端Y = Y1 = 0

因此，我们发现：只要Y1或Y2有一个为0，那么输出Y也就等于0
只有当Y1,Y2都为1时（即上下两个管子都截止时）Y才等于1

那么该电路实现的逻辑为：Y = （AB CD)'

2.2.2 上拉电阻范围的计算

首先，当输出为高电平时：MOS管截止时的漏电流和输入负载们的高电平输入电流同时流入 R L R_L RL，为了保证输出的高电平大于一定值，我们的 R L R_L RL不能设置得太大，下面来看看具体的情况：

我们设输出端并联的OD门有n个，输出端高电平输入电流的数目为m，则应有： V D D − R L ( n I O H m I I H ) ≥ V O H V_{DD} - R_L(nI_{OH} mI_{IH}) ≥ V_{OH} VDD−RL(nIOH mIIH)≥VOH
即： R L ≤ ( V D D − V O H ) n I O H m I I H = R L ( m a x ) R_L ≤ \frac{(V_{DD} - V_{OH})}{nI_{OH} mI_{IH}} = R_{L(max)} RL≤nIOH mIIH(VDD−VOH)=RL(max)

归纳：当输出为高电平时，我们方程的书写是以输出高电平的最低电压所驱动的，也就是说我们写这个方程，为的是要求输出端输出的高电平电压大于某一值

当输出为低电平，而且并联的OD门中只有一个门的输出MOS管导通时，如下图所示：

负载电流将全部流入这个管，为了使负载电流不超过MOS管所允许的最大值，我们有：
V D D ′ − V O L R L − m ′ I I L ≤ I O L ( m a x ) \frac{V'_{DD} - V_{OL}}{R_L} - m'I_{IL} ≤ I_{OL(max)} RLVDD′−VOL−m′IIL≤IOL(max)

归纳：当输出为低电平，而且并联的OD门中只有一个门的输出MOS管导通时；方程是由通过MOS管的最大负载电流驱动的，换句话说，就是列方程的目的是要使得流过一支MOS管的电流不超过它所能承受的最大电流

2.2.3 总结：OD门的特点以及应用

特点：

通过 V D D 1 V_{DD1} VDD1和 V D D 2 V_{DD2} VDD2的不同的取值，来改变输出高电平的大小
OD门可以承受很大的电压和电流

应用：

多个OD门并联实现与或非功能
实现电平转换

2.3 CMOS传输门

下面，我们来看看一种挺有意思的逻辑结构：CMOS传输门

我们来分析一下：

当C = 0，即C’ = 1时，T1截止，T2也截止，输入与输出之间呈高阻态，传输门截止
当C = 1，即C’ = 0时，当 v I v_I vI在0~ V D D V_{DD} VDD之间变化时，T1，T2至少有一个是导通的，因此，传输门导通
注意：当传输门导通之后，输入的什么信号，输出的就是什么信号，不变

而且，CMOS传输门是对称的，所以其漏级和源极可以互易使用，属于双向起器件

2.4 三态输出的CMOS门电路

我们先来看看图片：

上图是三态输出反相器的电路结构，他总是接在集成电路的输出端，所以也被称为输出缓冲器

至于，这个反相器的判断，在经过上面的学习后应该是没有什么难度了
我们注意一下这个三台控制端EN’

上图是三态输出反相器的符号，我们看到EN‘处有一个小圆圈，那是因为此时EN’表示低电平有效信号，即只有在EN’端为低电平时，电路才能处于正常工作状态
如果没有小圆圈即为高电平有效信号

而利用三态输出反相器还能干一些有意思的事情：

总线结构

这里的符号的意思是EN’为高电平有效信号，那么我们可以控制每一个输出端的EN’轮流为1，这样不同输入端的信号就能分时传入总线了

双向传输

当EN = 1时，G1通，信息从输入端传到总线，EN = 0时，G2通，信息从总线传回门电路

【博主重新复习Chapter 3时的一些再总结】

【1】首先就是上拉电阻范围的计算里面一些注意事项：当我们使用的是CMOS门电路时，负载门的电流数量都是看门电路端口的总数；但是，如果使用的是TTL门电路，在输出为高电平的情况下，负载门的电流数量还是都是看端口的数目；但是当输出为低电平的时候，就分情况了：当使用的是或非门时，电流数量是看或非门的端口数；当使用的是与非门时，电流数量看的就只是与非门的个数了！！
【2】TTL与非门的输入级由多发射极三极管和电阻组成
【3】对MOS门电路多余端不可以悬空，多余端可以接电源的低电平
【4】对于传输门，有小圆圈的那一端使用的是P沟道MOS管，低电平导通
【5】对于三态输出门电路，EN‘处有一个小圆圈，表示此时是低电平有效信号，如果输入为高电平，电路输出高阻态
【6】电阻特性（重要！）：对于TTL门电路，输入端悬空相当于接高电平，如果输入端和电阻相连之和接地，要看情况，如果是大电阻，那么就相当于接高电平；如果是小电阻相当于低电平，具体电阻大小看下图：

但是CMOS门电路是没有这种特性的，CMOS门电路的输入端接地就相当于接了低电平了
【7】错题收集：下面记录一道有意思的题目：
说明在下列情况下，用万用表测下图中 v I 2 v_{I2} vI2端得到的电压各位多少？
(1) v I 1 v_{I1} vI1悬空
(2) v I 1 v_{I1} vI1接低电平（0.2V）
(3) v I 1 v_{I1} vI1接高电平（3.2V)
(4) v I 1 v_{I1} vI1经51Ω电阻接地
(5) v I 1 v_{I1} vI1经10kΩ电阻接地
图中与非门为74系列TTL门电路，万用表使用5V量程，内阻为50kΩ/V

这里首先涉及到了一个知识点：TTL的与非门两个输入之间是会相互影响的，而CMOS的却不会
而且，这种多发射极三极管来说，只要有一个输入是低电平，那么三极管就导通，为此，我们先贴上TTL与非门的电路图：

当A,B均为高电平时， T 2 , T 5 T_2, T_5 T2,T5都导通，那么A, B的电位就会被钳位，而又由于 v I 2 v_{I2} vI2相当于经过一个20kΩ的电阻接地，相当于输入高电平，那么我们只需要关心 v I 1 v_{I1} vI1就好了：

好的，下面我们分析(1)：悬空相当于接高电平，那么即两个输入端均为高电平， T 2 , T 5 T_2, T_5 T2,T5均导通， v I 2 v_{I2} vI2被钳位在1.4V
(2)当 v I 1 v_{I1} vI1接了0.2V低电平时， T 2 , T 5 T_2, T_5 T2,T5均截止，那么 v I 2 v_{I2} vI2就等于0.2V
(3) v I 1 v_{I1} vI1接高电平时和(1)一样，显示为1.4V
(4)经51Ω接地，相当于输入低电平，显示0.2V
(5)经1kΩ电阻接地相当于输入高电平，显示1.4V

【数字电子技术 Digital Electronic Technology 3】——门电路笔记 之 ...