SiC/SiC 复合材料制备工艺有哪些？
SiC/SiC复合材料是以SiC纤维为连续增强体，SiC陶瓷为基体的复合材料，既具有SiC基体的耐高温、低密度、耐腐蚀及耐蠕变等优点，又具有较高的强度和模量,与高温合金材料相比，在发动机叶片、机闸、高/低压涡轮盘、火焰稳定器和排气喷管等航空航天领域具有重要的应用潜力。SiC/SiC 复合材料的制备工艺经过几十年的发展，已经渐趋成熟，主要包括化学气相渗透（CVI）工艺、聚合物先驱体浸渍裂解（PIP）工艺和熔体浸渗（MI）工艺，其中：
CVI工艺
CVI工艺为将纤维预制体置于沉积炉中，气态先驱体通过扩散、对流等方式进入预制体内部并吸附在纤维表面，在一定温度下生成固态的碳或陶瓷组分沉积于纤维表面形成涂层，生成的气态副产物向外扩散；随着沉积的进行，纤维表面的涂层越来越厚，首先对纤维束内纤维之间的空隙进行填充，待束内空隙填满后，继续沉积的涂层组分进行纤维束间空隙的填充，最终各涂层相互重叠，成为材料内的连续相基体。
CVI工艺流程
来源：CNKI
CVI工艺的优点在于：基体的沉积过程中反应温度及压力较低，对纤维基本无损伤；基体具有完整晶型，力学性能优异；可制备形状复杂的部件；可实现材料的优化设计。但其缺点是沉积速率较慢，制造成本高；复合材料孔隙率高，不适合制备厚壁部件；工艺较为复杂。
PIP工艺
PIP工艺是将液态陶瓷先驱体浸渍到真空、密封的纤维编织体内，液态先驱体经过干燥或交联固化，在惰性气体保护下或真空环境下高温裂解，原位转化成陶瓷基体。由于先驱体裂解过程中气态副产物逸出及裂解后基体收缩，单次裂解过程的陶瓷收缩率较低，制备过程需重复多次浸渍-裂解过程才能实现材料的致密化。
PIP工艺流程
来源：CNKI
PIP工艺的优点是裂解过程温度较低，基体成分均匀，可设计性强，能够制备复杂大尺寸构件。但其缺点主要是产率低，制备周期较长，基体存在大量收缩裂纹和孔洞，孔隙率高。
MI工艺
MI工艺，首先在预制体中的纤维表面沉积形成界面相，以降低后续融渗过程对纤维的损伤；在预制体内形成一定量的多孔热解碳（PyC）基体；然后在高温真空环境中，将液态溶融硅渗入预制体内；溶融硅与PyC发生反应，最终生成连续致密的SiC基体。
MI工艺流程
来源：CNKI
MI工艺的优点是工艺简单，反应速度快，制备周期短，致密化程度高，材料孔隙率低，可快速、低成本制备近净成型复杂形状构件；缺点是处理温度高，会损伤纤维，而且复合材料中会有硅的残留，影响材料性能。
国外不同型号SiC/SiC CMC及其性能