如何装着很懂半导体晶圆制造？【值得收藏】
何谓蚀刻(Etch)?
答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
蚀刻种类:
答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻
蚀刻对象依薄膜种类可分为:
答：poly,oxide, metal
何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?
答：Oxide etch and nitride etch
半导体中一般介电质材质为何?
答：氧化硅/氮化硅
何谓湿式蚀刻
答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除
何谓电浆 Plasma?
答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.
何谓干式蚀刻?
答：利用plasma将不要的薄膜去除
何谓Under-etching(蚀刻不足)?
答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留
何谓Over-etching(过蚀刻 )
答：蚀刻过多造成底层被破坏
何谓Etch rate(蚀刻速率)
答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度
何谓Seasoning(陈化处理)
答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy） 晶圆进行数次的蚀刻循环。
Asher的主要用途:
答：光阻去除
Wet bench dryer 功用为何?
答：将晶圆表面的水份去除
列举目前Wet bench dry方法:
答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry
何谓 Spin Dryer
答：利用离心力将晶圆表面的水份去除
何谓 Maragoni Dryer
答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除
何谓 IPA Vapor Dryer
答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除
测Particle时,使用何种测量仪器?
答：Tencor Surfscan
测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?
答：膜厚计,测量膜厚差值
何谓 AEI
答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查
AEI目检Wafer须检查哪些项目:
答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤 (2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确
金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?
答：清机防止金属污染问题
金属蚀刻机台asher的功用为何?
答：去光阻及防止腐蚀
金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?
答：因为金属线会溶于硫酸中
"Hot Plate"机台是什幺用途?
答：烘烤 Hot Plate
烘烤温度为何?
答：90~120 度C
何种气体为Poly ETCH主要使用气体?
答：Cl2, HBr, HCl
用于Al 金属蚀刻的主要气体为
答：Cl2, BCl3
用于W金属蚀刻的主要气体为
答：SF6
何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体?
答：C4F8, C5F8, C4F6
硫酸槽的化学成份为:
答：H2SO4/H2O2
AMP槽的化学成份为:
答：NH4OH/H2O2/H2O
UV curing 是什幺用途?
答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度
"UV curing"用于何种层次?
答：金属层 何谓EMO? 答：机台紧急开关
EMO作用为何?
答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下
湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?
答：(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门 (2) 机械手臂危险. 严禁打开此门 (3) 化学药剂危险. 严禁打开此门
遇化学溶液泄漏时应如何处置?
答：严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路.
遇 IPA 槽着火时应如何处置??
答：立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组
BOE槽之主成份为何?
答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).
BOE为那三个英文字缩写 ?
答：Buffered Oxide Etcher 。
有毒气体之阀柜(VMB)功用为何?
答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出
电浆的频率一般13.56 MHz,为何不用其它频率?
答：为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz等
何谓ESC(electrical static chuck)
答：利用静电吸附的原理, 将 Wafer 固定在极板 (Substrate) 上
Asher主要气体为
答：O2
Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何?
答：温度
简述TURBO PUMP 原理
答：利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR
热交换器(HEAT EXCHANGER)之功用为何？
答：因为温度会影响制程条件;如etching rate/均匀度
为何需要注意dry pump exhaust presure (pump 出口端的气压)?
答：因为气压若太大会造成pump 负荷过大;造成pump 跳掉,影响chamber的压力,直接影响到run货品质
为何要做漏率测试? (Leak rate )
答： (1) 在PM后PUMP Down 1~2小时后;为确保chamber Run 货时,无大气进入chambe 影响chamber GAS 成份(2) 在日常测试时,为确保chamber 内来自大气的泄漏源,故需测漏 机台发生
Alarm时应如何处理?
答：(1) 若为火警,立即圧下EMO(紧急按钮),并灭火且通知相关人员与主管(2) 若是一般异常,请先检查alarm 讯息再判定异常原因,进而解决问题,若未能处理应立即通知主要负责人 蚀刻机台
废气排放分为那几类?
答：一般无毒性废气/有毒酸性废气排放
蚀刻机台使用的电源为多少伏特(v)?
答：208V 三相
干式蚀刻机台分为那几个部份?
答：(1) Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4) 真空系统 (5) GAS system (6) RF system
在半导体程制中,湿制程(wet processing)分那二大頪?
答：(1) 晶圆洗净(wafer cleaning) (2) 湿蚀刻(wet etching).
晶圆洗净(wafer cleaning)的设备有那几种?
答：(1) Batch type(immersion type): a) carrier type b)Cassetteless type (2) Single wafer type(spray type)
晶圆洗净(wafer cleaning)的目的为何?
答：去除金属杂质,有机物污染及微尘.
半导体制程有那些污染源?
答：(1) 微粒子(2) 金属(3) 有机物(4) 微粗糙(5) 天生的氧化物
RCA清洗制程目的为何?
答：于微影照像后,去除光阻,清洗晶圆,并做到酸碱中和,使晶圆可进行下一个制程.
洗净溶液 APM(SC-1)--> NH4OH:H2O2:H2O的目的为何?
答：去除微粒子及有机物
洗净溶液 SPM--> H2SO4:H2O2:H2O的目的为何?
答：去除有机物
洗净溶液 HPM(SC-2)--> HCL:H2O2:H2O的目的为何?
答：去除金属
洗净溶液 DHF--> HF:H2O(1:100~1:500)的目的为何?
答：去除自然氧化膜及金属
洗净溶液 FPM--> HF:H2O2:H2O的目的为何?
答：去除自然氧化膜及金属
洗净溶液 BHF(BOE)--> HF:NH4F的目的为何?
答：氧化膜湿式蚀刻
洗净溶液 热磷酸--> H3PO4的目的为何?
答：氮化膜湿式蚀刻
0.25微米逻辑组件有那五种标准清洗方法?
答：(1) 扩散前清洗(2) 蚀刻后清洗(3) 植入后清洗(4) 沉积前洗清 (5) CMP后清洗
超音波刷洗(ultrasonic scrubbing)目的为何?
答：去除不溶性的微粒子污染
何谓晶圆盒(POD)清洗?
答：利用去离子水和界面活性剂(surfactant),除去晶圆盒表面的污染.
高压喷洒(high pressure spray)或刷洗去微粒子在那些制程之后?
答：(1) 锯晶圆(wafer saw) (2) 晶圆磨薄(wafer lapping) (3) 晶圆拋光(wafer polishing) (4) 化学机械研磨
晶圆湿洗净设备有那几种?
答：(1) 多槽全自动洗净设备 (2) 单槽清洗设备 (3) 单晶圆清洗设备.
单槽清洗设备的优点?
答：(1) 较佳的环境制程与微粒控制能力. (2) 化学品与纯水用量少. (3) 设备调整弹性度高.
单槽清洗设备的缺点?
答：(1) 产能较低. (2) 晶圆间仍有互相污染
单晶圆清洗设备未来有那些须要突破的地方?
答：产能低与设备成熟度
信息来源网络