CdSe/ZnS量子点发光二极管(QD LED)模型成功开发

CdSe/ZnS量子点发光二极管(QD LED)模型成功开发

依托Crosslight先进的仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队成功开发出CdSe/ZnS量子点发光二极管(QD LED)模型。

由于半峰宽较窄、发光波长可调、制备工艺成本相对较低，CdSe/ZnS QD LED在下一代显示和照明领域具有极大的应用空间。然而，QD LED的器件尺寸一般较大，并且空穴迁移率较低，因此电流拥挤比较严重。上海大学杨绪勇教授团队提出在QD LED空穴注入层中嵌入MoO3层[如图一所示]，该插入层可以有效调节空穴的输运行为，改善电流扩展效应，提高空穴注入效率[如图二所示]，进而改善QD LED发光效率，该论文发表于Advanced Science，DOI: 10.1002/advs.202001760 (IF=15.840)。

图一、 (a) QD LED平衡态下的能带图 (b) 空穴电流输运示意图 (c) 具有MoO3电流扩展层的QD LED能带示意图

图二、(a) 理论计算的器件A、B、C和D横向空穴电流分布图，(b)实验测量的hole-only器件的电流-电压关系图。其中，器件A不含MoO3层，器件B、C和D分别有一层、二层和三层MoO3层。