东芝、西数最先进的闪存工厂Fab 6启用，96层堆栈/QLC闪存提速

在全球NAND闪存市场上，三星份额第一，第二、第三则是东芝及西数，这两家还是合作研发、生产NAND闪存的，尽管去年东芝出售闪存业务期间双方一度剑拔弩张，还打起了官司，不过两家公司并没有分手。今天东芝、西数一起宣布他们位于日本四日市三重县的Fab 6工厂正式启用，配套的闪存研发中心今年3月份已经运转了，新的研发及生产中心重点就是96层堆栈3D NAND闪存，QLC闪存也将是重点，该工厂投产意味着东芝/西数的3D闪存产能进一步提速。

东芝西数在全球NAND市场上的份额合计超过40%，而主要生产基地就在日本，东芝2017年2月份宣布在日本四日市建设新的闪存晶圆厂Fab 6，总投资5000亿日元，折合约45亿美元。在这起投资中，收购了闪迪公司的西数公司尽管与东芝公司因为NAND业务出售一事闹的不开心，但双方在晶圆厂投资上并没有撕破脸，而这次新工厂落成也意味着两家公司早就相逢一笑泯恩仇了。

除了Fab 6晶圆厂之外，东芝、西数还在工厂附近建设了新的NAND闪存研发中心，今年3月份已经投入运营了。

东芝、西数的Fab 6工厂本月初就已经开始生产3D NAND闪存了，重点就是新一代的BiCS 4技术96层堆栈3D闪存，其中有TLC类型的闪存，但新一代的QLC闪存无疑也是Fab 6工厂的重点，在这方面，东芝/西数选择的BiCS技术路线跟其他家的NAND闪存都不同，一直以来容量密度都是业界最好水平之一，这次的QLC闪存核心容量是1.33Tb，比之前美光、英特尔公布的1Tb核心大了33%。

基于1.33Tb核心的QLC闪存，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2.66TB，大家还记得东芝之前发布的RC100系列硬盘吗，它使用的就是单芯片封装，一颗闪存最大容量才480GB，现在QLC闪存的帮助下单芯片封装实现了2.66TB的容量，是之前的5倍多。

东芝、西数的QLC闪存今年下半年已经陆续出样，年底可能会有QLC硬盘商业化，不过大规模量产及上市还要等到2019年。