东芝、西数最先进的闪存工厂Fab 6启用,96层堆栈/QLC闪存提速
在全球NAND闪存市场上,三星份额第一,第二、第三则是东芝及西数,这两家还是合作研发、生产NAND闪存的,尽管去年东芝出售闪存业务期间双方一度剑拔弩张,还打起了官司,不过两家公司并没有分手。今天东芝、西数一起宣布他们位于日本四日市三重县的Fab 6工厂正式启用,配套的闪存研发中心今年3月份已经运转了,新的研发及生产中心重点就是96层堆栈3D NAND闪存,QLC闪存也将是重点,该工厂投产意味着东芝/西数的3D闪存产能进一步提速。
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东芝西数在全球NAND市场上的份额合计超过40%,而主要生产基地就在日本,东芝2017年2月份宣布在日本四日市建设新的闪存晶圆厂Fab 6,总投资5000亿日元,折合约45亿美元。在这起投资中,收购了闪迪公司的西数公司尽管与东芝公司因为NAND业务出售一事闹的不开心,但双方在晶圆厂投资上并没有撕破脸,而这次新工厂落成也意味着两家公司早就相逢一笑泯恩仇了。
除了Fab 6晶圆厂之外,东芝、西数还在工厂附近建设了新的NAND闪存研发中心,今年3月份已经投入运营了。
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东芝、西数的Fab 6工厂本月初就已经开始生产3D NAND闪存了,重点就是新一代的BiCS 4技术96层堆栈3D闪存,其中有TLC类型的闪存,但新一代的QLC闪存无疑也是Fab 6工厂的重点,在这方面,东芝/西数选择的BiCS技术路线跟其他家的NAND闪存都不同,一直以来容量密度都是业界最好水平之一,这次的QLC闪存核心容量是1.33Tb,比之前美光、英特尔公布的1Tb核心大了33%。
基于1.33Tb核心的QLC闪存,东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存,一颗闪存的容量就有2.66TB,大家还记得东芝之前发布的RC100系列硬盘吗,它使用的就是单芯片封装,一颗闪存最大容量才480GB,现在QLC闪存的帮助下单芯片封装实现了2.66TB的容量,是之前的5倍多。
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东芝、西数的QLC闪存今年下半年已经陆续出样,年底可能会有QLC硬盘商业化,不过大规模量产及上市还要等到2019年。