三星对EUV工艺太激进了，2020年使用EUV工艺生产1Ynm DRAM芯片

三星前不久宣布7nm LPP EUV工艺已经获得了Synopsys的认证，今年下半年就要量产，这将是全球首个EUV工艺，要比台积电、Globalfoundries等公司激进得多，他们要到明年的第二代7nm工艺才会考虑使用EUV工艺。除了处理器芯片，三星在DRAM内存芯片上也准备使用EUV工艺，预计2020年在1Ynm工艺上正式使用，而美光公司前不久才表示暂时不需要EUV工艺。

DRAM芯片的划代工艺跟处理器不同，目前内存主流的还是20nm、18nm工艺，其中18nm就属于1X nm节点（16-19nm之间），后面的1Y nm则是14-16nm之间，1Z大概是12到14nm。再之后，美光提出的是1α及1β工艺，具体对应xx nm不明，但是美光之前表态EUV工艺不是DRAM芯片必需的，直到1α及1β工艺上都也不会用到它。

ASML提到的EUV光刻工艺路线图

但是美光不用不代表其他厂商不用，三星不仅在处理器芯片上押注EUV工艺，在DRAM芯片上也即将切入EUG工艺。韩国媒体报道称，三星准备在下一代内存工艺上使用EUV光刻，预计2020年的1Ynm DRAM芯片上就改用EUV光刻取代现有的DUV光刻工艺。

使用EUV光刻工艺可以制造更精细的晶体管，减少对多重曝光方案的使用，降低成本，不过EUV工艺目前的问题在于ASML的EUV光刻机还不能达到大规模量产的水平。

根据ASML最新报告，Q1季度该公司共有20台EUV光刻机订单，其中台积电8台，三星6台，英特尔3台，Globalfoundries公司1台，中国中芯国际也有一台订单，不过交付日期还没定。