100V耐压MOS 15N10低压MOS 100V贴片MOS 低内阻低结电容

MOS管型号：HG160N10L

MOS管参数：100V 8A

低内阻：110mR（VGS=10V）

低结电容：201pF

类型：SGT工艺NMOS

低开启电压：1.7V

封装：TO-252

HG160N10L特点：

低损耗

高频率 大电流

低开启电压 低内阻 结电容小

低消耗 温升低 转换效率高

过电流达 抗冲击能力强

SGT工艺 开关损耗小