提供 可定制 Cu2Se3晶体/Ag2Te晶体/MnBi4Te7晶体基片 磁性拓扑绝缘体

磷化镓的第一布里渊区为截角八面体，导带极小值位于<100>方向，电子有效质量为0.35m，m为电子惯性质量；价带极大值约位于布里渊区中心，重空穴和轻空穴有效质量分别为0.86m和0.14m，为间接带隙半导体。室温时，禁带宽度为2.26eV，本征载流子浓度为2.7×106/m3。较纯晶体的电子和空穴迁移率分别为1.5×10-2m2/(v·s)和1.2×10-2m2/(v·S)。掺入Ⅱ族、Ⅳ族或Ⅵ族原子可获得p型或n型材料，还具有等电子陷阱。少数载流子寿命约为10-3～10-4μs。其熔点1467℃，可用区熔或直拉法制备单晶，还可用气相外延、液相外延、分子束外延，金属有机物化学气相淀积法制备。晶体尺寸：>10平方毫米晶体种类：磁性拓扑绝缘体[单晶纯度]:> 99.99%[传导类型]：N型；半绝缘型[抛向]：单抛或双抛[可用表面积]：> 90%

我们可提供一系列晶体基片，AgTaS3晶体、Ag3Sb晶体、Ag2Te晶体、Bi4Pb7Se13晶体、Cu2Se3晶体、AgInP2S6晶体、AgInP2Se6晶体、Cr2S3晶体、CrTe2晶体、CuBi3PbS6晶体、CuInP2Se6晶体、CuInS2晶体、GaGeTe晶体、GaPS4晶体、GeBi2Te4晶体、GeBi4Te7晶体、GeSb4Te7晶体、GeTe晶体、HfS3晶体、HgPSe3晶体、In2GaBi2S6晶体、In2P3S9晶体、In2Te5晶体、In3SbTe2晶体、InSb晶体、InSiTe3晶体、MnBiSe 晶体、MnSbTe 晶体、Nb3GeTe6晶体、NbTe4晶体、NiCoSe2晶体、NiTe2晶体、NiTe晶体、Pb2Bi2Se5晶体、Pb2Bi2Te5晶体、PbBi4Te7晶体、PbBi6Te10晶体、PbSb2Te4晶体、PbSe晶体、PbS晶体、Sb2Te2Se晶体、Sb2TeSe2晶体、Sb2Te晶体、Sb16Te3晶体、SiTe2晶体、SnBi2Te4晶体、SnBi4Te7晶体、SnPS3晶体、SnPSe3晶体、TaCo2Te2晶体、TaNi2Te2晶体、TaNi2Te3晶体、V2NiSe4晶体、Zr5Te4晶体可提供相关产品MoS2 二硫化钼 高纯粉末MoS2 二硫化钼粉末MoS2 二硫化钼粉末MnPS3 高纯粉末HfS2 硫化铪高纯粉末CuS高纯粉末SnS2 二硫化锡高纯粉末TaS2 (2H-phase) 2H-二硫化钽高纯粉末MoS2 二硫化钼高纯粉末PbSnS2 硫化锡铅高纯粉末ZrS3 三硫化锆高纯粉末Sb2S3 硫化锑高纯粉末FePS3 硫化磷铁高纯粉末SnS crystals 硫化锡高纯粉末TaS2 (1T-phase) 1T-二硫化钽高纯粉末MnPS3 硫化磷锰高纯粉末Sb2OS2 硫化氧锑高纯粉末TlInS2 硫化铟铊高纯粉末TlGaS2 硫化镓铊高纯粉末GeS 硫化锗高纯粉末p-type WS2 crystals P型二硫化钨高纯粉末GaS 硫化镓高纯粉末HfS2 二硫化铪高纯粉末WS2 二硫化钨高纯粉末zl 02.22