WS51F0030 系列物联网 MCU的简介和特点
1 概述
WS51F0030 系列芯片是基于增强型 1T 8051 内核的 8 位微控制器，指令完全兼容传统 8051，而运行速度比 传统 8051 快 10 倍。WS51F0030 集成 16KB Flash、2KB 可编程 Boot Loader、1KB SRAM、128B 独立 EEPROM、1 个 高精度 OP、12 通道 12 位精度带 PGA 的 SAR-ADC、3 对 6 通道 16 位互补输出支持电机驱动的 PWM、1 对 2 通道支持互补输出和灯带功能 PWM、4 个通用定时器、1 路蜂鸣器输出、2 个 UART、1 个 I2C、1 个 SPI、16MHz 内部 RC 振荡器、32.768KHz 外部晶振、18 个 GPIO 等资源。为了提高芯片可靠性，WS51F0030 还集成了上电掉电复位，8 级可选电压低电压检测（LVD），低功耗独立看门狗计数器（WDT）、自唤醒定时器（WKT）等模块。WS51F0030 具有非常优异的抗干扰能力和低功耗特性，非常适合用在玩具、小电机、家用照明、无线通讯等物联网工业控制及消费电子领域。
2 特性
n 工作电压： 2.0V-5.5V
n 工作温度： -40-+105℃
n 封装类型：TSSOP20
n 内核：增强型 1T 8051
n 最高工作频率：16MHz
n Flash ROM：16K Bytes，10 万次擦写
n Boot Loader：2K Bytes，10 万次擦写
n EEPROM：128 Bytes，单字节操作无需擦，10 万次写入
n SRAM: 内部 256 Bytes，外部 1K Bytes
n 时钟（3.3V@25℃）
l 外部低速晶体振荡器 LOSC：32.768KHz
l 内置 RC 振荡器 LRC：32KHz，可调精度±1%
l 内置 RC 振荡器 HRC：16MHz，可调精度±1%
n 中断
l 9 个有效中断源，两级中断优先级
l 6 个外部中断，支持键盘中断，可配置任意引脚输入，支持上沿/下沿/双沿触发
n IO 端口
l 18 个通用 GPIO 口
l 持推挽/开漏/上拉/下拉/高阻等模式
l 上拉可选 60KΩ 或 10KΩ，下拉为 15 KΩ
l 推电流支持 25mA, 灌电流 60mA
n 定时器
l 4 个 16 位通用定时器 0/1/2/3，兼容标准 8051
n 脉宽调制（PWM）
l 4 对 8 通道 16 位 PWM，其中 3 对 PWM 支持电机驱动功能，另外 1 对支持支持 2 路 PWM 灯带输出功能
l 可选时钟源，可直接输出内部时钟，支持任意配置周期和占空比
l 支持互补输出和死区控制
l 支持中心对齐和边沿对齐输出模式（电机驱动 PWM）
l 支持故障刹车和输出掩码控制（电机驱动 PWM）
n 蜂鸣器（BUZZER）
l 1 路蜂鸣器输出，可选工作时钟
n 通用串行接口（UART）
l 2 个 UART 接口：UART0 和 UART1，兼容标准 8051
n SPI 接口（SPI）
l 支持主从模式，最大速度可达 1/4 Fsys（系统时钟）
n I2C 接口（I2C）
l 内置 1 路 I2C 接口，支持主从模式，支持标准/ 快速/高速模式
n 看门狗（WDT）
l 15 位看门狗定时器，计数时钟为 LRC 时钟
l 8 位调节精度, 调整范围为 7.8125ms-1s
l 可配置看门狗产生复位或中断
n 自唤醒定时器（WKT）
l 可选中断时间为 3.90625ms~1s，支持中断唤醒
n 低电压检测（LVD）
l 8 级电压检测 1.8/2.0/2.4/2.8/3.0 /3.4/3.7/4.2V
l 可设置低电压复位或中断
n 运算放大器（OP）
l 1 个支持修调的高精度运放
l 可接外部电阻放大，也可内部放大2/4/6/8/10/12/14/16/20/24/32/64/96/128 倍
l 可单独使用，也可给 ADC 前端放大用
n 模数转换器（ADC）
l 12 通道 12 位精度 SAR-ADC，转换速度最高达 1MHz
l 内置 PGA，支持放大 1/2/4/6/8/10/12/15/20 倍，支持缩小 1/4、1/3 和 1/2 倍
l 内置 1/4 * VDD5 通道和 VSS 通道
l 支持比较器功能
n 芯片复位
l 支持硬复位、软复位、看门狗复位、LVD 复位和上电/掉电复位
n 程序加密及保护
l 内置程序读保护
l 内置程序 ID 加密保护功能
n 程序下载和仿真
l 支持 ISP 和 IAP，IAP 可配置大小
l 支持在线仿真功能
n 低功耗
l IDLE 模式最低电流 4.5uA
l STOP 模式最低电流 1.8uA
l 内部 LRC 运行功耗 6uA
l 16Mhz@5V 运行典型功耗 1.5mA
n 抗干扰特性
l EFT > ±4KV
l ESD HBM > ±8KV
l Latch up > 200mA