关于光耦控制双向可控硅的问题。
光耦和器件，前半部分作为亮度采集探头的输入，后半部分为双向可控硅触发电路的信号输入，双向可控硅触发电路为灯的控制开关。
看起来你比较专业啊！可控硅发热大可以给它加散热片，通常它的表面温度达110度也可以长时间工作。
触发可控硅电路推荐最好使用专用的光耦触发电路，设计电路结构简单，触发也比较可靠。若是普通光耦设计可控硅触发电路，电路设计起来比较复杂，电路参数确定也比较繁琐，可靠性不太好保证。如果一定要采用后者方式，可以参考如下链接中的设计思路：http://wenku.baidu.com/link?url=itAcf8GOik9VWXMmI18sT_T-vw1RBV3PdmZ2__0Qti5TE_qrDX235PxDBNQy1vLx1s_LvBsavl27yTx8VqJEBbv4LaINPnT9kfSyJzTu3bi
光耦可控硅：
晶闸管，又称可控硅（单向SCR、双向BCR）是一种4层的（PNPN）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。
1、锁存器电路。
图1是一种由继电器J、电源（＋12V）、开关K1和微动开关K2组成的锁存器电路。当电源开关K1闭合时，因J回路中的开关K2和其触点J－1是断开的，继电器J不工作，其触点J－2也未闭合，所以电珠L不亮。一旦人工触动一下K2，J得电激活，对应的触点J－1、J－2闭合，L点亮。此时微动开关K2不再起作用（已自锁）。要使电珠L熄灭，只有断开电源开关K1使继电器释放，电珠L才会熄灭。所以该电路具有锁存器（J－1自锁）的功能。 图2电路是用单向可控硅SCR代替图1中的继电器J，仍可完成图1的锁存器功能，即开关K1闭合时，电路不工作，电珠L不亮。当触动一下微动开关K2时，SCR因电源电压通过R1对门极加电而被触发导通且自锁，L点亮，此时K2不再起作用，要使L熄灭，只有断开K1。由此可见，图2电路也具有锁存器的功能。
图2与图1虽然都具有锁存器功能，但它们的工作条件仍有区别：
（1）图1的锁存功能是利用继电器触点的闭合维持其J线圈和L的电流，但图2中，是利用SCR自身导通完成锁存功能。
（2）图1的J与控制器件L完全处于隔离状态，但图2中的SCR与L不能隔离。所以在实际应用电路中，常把图1和图2电路混合使用，完成所需的锁存器功能。2、单向可控硅SCR振荡器。
图3电路是利用SCR的锁存性制作的低频振荡器电路。
图中的扬声器LS（8Ω／0．5W）作为振荡器的负载。当电路接上电源时，由于电源通过R1对C1充电，初始时，C1电压很低，A、B端的电位器W的分压不能触发SCR，SCR不导通。当C1充得电压达到一定值时，A、B端电压升高，SCR被触发而导通。一旦SCR导通，电容器C1通过SCR和LS放电，结果A、B 端的电压又下降，当A、B端电压下降到很低时，又使SCR截止，一旦SCR截止，电容器C1又通过R1充电，这种充放电过程反复进行形成电路的振荡，此时LS发出响声。电路中的W可用来调节SCR门极电压的大小，以达到控制振荡器的频率变化。按图中元件数据，C1取值为0．22～4μF，电路均可正常工作。3、SCR半波整流稳压电源。
如图4电路，是一种输出电压为＋12V的稳压电源。
该电路的特点是变压器B将220V的电压变换为低压（16～20V），采用单向可控硅SCR半波整流。SCR的门极G从R1、D1和D2的回路中的C点取出约13．4V的电压作为SCR门阴间的偏置电压。电容器C1起滤波和储能作用。在输出CD端可获得约＋12V的稳压。 电路工作时，当A点低压交流为正半周时，SCR导通对C1充电。当充电电压接近C点电压或交流输入负半周时，SCR截止，所以C1上充得电压（即输出端CD）不会高于C点的稳压值。只有储能电容C1输出端对负载放电，其电压低于C点电压时，在A点的正半周电压才会给C1即时补充充电，以维持输出电压的稳定。图4电路与电池配合已成功用于某设备作后备电源。该稳压电源，按图中参数其输出电流可达2～3A。4、SCR全波整流稳压电源。
上述的半波整流稳压电源，其缺点是电源的效率低，其纹波也较大。图5的SCR全波整流稳压电源，完全克服了上述的缺点。该电路的输出电压也为12V（也可改接成其他电压输出）。该电路实际是由图4的两个半波整流和稳压电路组合而成。D1、SCR1、D4等工作在交流的正半周；D2、SCR2、D6等工作在交流的负半周，他们共同向输出的C、D端提供电流。电路中的D3、D5起隔离作用，即D3是防止A点交流负半周时，其电流通过R1；D5是防止A点交流正半周时，其电流通过R2的。电路的其他工作过程与上期图4相同。
光耦可控硅：
晶闸管，又称可控硅（单向scr、双向bcr）是一种4层的（pnpn）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。
1、锁存器电路。
图1是一种由继电器j、电源（＋12v）、开关k1和微动开关k2组成的锁存器电路。当电源开关k1闭合时，因j回路中的开关k2和其触点j－1是断开的，继电器j不工作，其触点j－2也未闭合，所以电珠l不亮。一旦人工触动一下k2，j得电激活，对应的触点j－1、j－2闭合，l点亮。此时微动开关k2不再起作用（已自锁）。要使电珠l熄灭，只有断开电源开关k1使继电器释放，电珠l才会熄灭。所以该电路具有锁存器（j－1自锁）的功能。
图2电路是用单向可控硅scr代替图1中的继电器j，仍可完成图1的锁存器功能，即开关k1闭合时，电路不工作，电珠l不亮。当触动一下微动开关k2时，scr因电源电压通过r1对门极加电而被触发导通且自锁，l点亮，此时k2不再起作用，要使l熄灭，只有断开k1。由此可见，图2电路也具有锁存器的功能。
图2与图1虽然都具有锁存器功能，但它们的工作条件仍有区别：
（1）图1的锁存功能是利用继电器触点的闭合维持其j线圈和l的电流，但图2中，是利用scr自身导通完成锁存功能。
（2）图1的j与控制器件l完全处于隔离状态，但图2中的scr与l不能隔离。所以在实际应用电路中，常把图1和图2电路混合使用，完成所需的锁存器功能。
2、单向可控硅scr振荡器。
图3电路是利用scr的锁存性制作的低频振荡器电路。
图中的扬声器ls（8ω／0．5w）作为振荡器的负载。当电路接上电源时，由于电源通过r1对c1充电，初始时，c1电压很低，a、b端的电位器w的分压不能触发scr，scr不导通。当c1充得电压达到一定值时，a、b端电压升高，scr被触发而导通。一旦scr导通，电容器c1通过scr和ls放电，结果a、b
端的电压又下降，当a、b端电压下降到很低时，又使scr截止，一旦scr截止，电容器c1又通过r1充电，这种充放电过程反复进行形成电路的振荡，此时ls发出响声。电路中的w可用来调节scr门极电压的大小，以达到控制振荡器的频率变化。按图中元件数据，c1取值为0．22～4μf，电路均可正常工作。
3、scr半波整流稳压电源。
如图4电路，是一种输出电压为＋12v的稳压电源。
该电路的特点是变压器b将220v的电压变换为低压（16～20v），采用单向可控硅scr半波整流。scr的门极g从r1、d1和d2的回路中的c点取出约13．4v的电压作为scr门阴间的偏置电压。电容器c1起滤波和储能作用。在输出cd端可获得约＋12v的稳压。
电路工作时，当a点低压交流为正半周时，scr导通对c1充电。当充电电压接近c点电压或交流输入负半周时，scr截止，所以c1上充得电压（即输出端cd）不会高于c点的稳压值。只有储能电容c1输出端对负载放电，其电压低于c点电压时，在a点的正半周电压才会给c1即时补充充电，以维持输出电压的稳定。图4电路与电池配合已成功用于某设备作后备电源。该稳压电源，按图中参数其输出电流可达2～3a。
4、scr全波整流稳压电源。
上述的半波整流稳压电源，其缺点是电源的效率低，其纹波也较大。图5的scr全波整流稳压电源，完全克服了上述的缺点。该电路的输出电压也为12v（也可改接成其他电压输出）。该电路实际是由图4的两个半波整流和稳压电路组合而成。d1、scr1、d4等工作在交流的正半周；d2、scr2、d6等工作在交流的负半周，他们共同向输出的c、d端提供电流。电路中的d3、d5起隔离作用，即d3是防止a点交流负半周时，其电流通过r1；d5是防止a点交流正半周时，其电流通过r2的。电路的其他工作过程与上期图4相同。
关于光耦控制双向可控硅的问题._ 》》》 MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流,驱动BTA16是没有任何问题的,为了保证安全,建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极.再就是光耦的驱动端,3041的驱动电流是15mA,3043的驱动电流是5mA,如果用单片机直接驱动,建议用3043,否则最好使用三极管驱动,为了保证寿命,还必须增加老化系数,建议3043使用7mA,3041 使用20mA,还有驱动方式,3041是过零触发器件,需要电平驱动,脉冲驱动无效,要使用脉冲驱动请重新选择光耦.
用光耦来控制 双向可控硅的控制原理 》》》 是图画错了?如果是这样接线的话,这个双向可控硅是长期导通的.
关于光耦控制双向可控硅的问题. 》》》 完全没理解MOC3041是怎么触发可控硅的,和光耦1、2脚输入多少电流没有太大关系,1、2输入保证发光端能发光即可,4、6脚是取的交流电,交流电回路在可控硅最左边一条腿到最右边一条腿到4脚,到6脚,到中间腿,最左边一条腿和中间腿分别接交流电LN
光电耦合器和双向可控硅的问题请教 》》》 原理? 没啥好解释的啊!如果控制端(24V侧)断路,光耦里的发光二极管不发光,光耦里的触发管侧不导通,可控硅的控制极没有触发信号,可控硅不导通;反之,如果控制端接通,光耦里的发光二极管发光,光耦里的触发管导通,可控硅的控制极得到触发信号,可控硅导通.R2,R3的取值可以满足要求,这个取值不是太严格,只要能满足可控硅的可靠触发即可(R2、R3的取值会在一定程度上影响可控硅的导通角).R3也可以不用.
您好!向你请教光耦控制双向可控硅的电路,最好有成熟的图和分析_ 》》》 到维修网站去一搜就有,电路很多,但是要注册哦!
请教...请教 啊.... 光耦控制双向可控硅 》》》 把光藕的上面的线与可控硅控制极相连 发射极线与可控硅下面的线连起来就行
关于使用光耦MOC3023控制双向可控硅(BTA16)的问题 》》》 把负载放到上面,串联在第一阳极上. 去掉R5,直接短路.
上网找了很多资料还是搞不懂,现在只好提问了,我在弄一个通过光耦控制双向可控硅的电路. 》》》 晶闸管被触发了可以保持导通状态,但是当电压过零或电流小于晶闸管维持电流时,晶闸管就会关断. 所以普通晶闸管不能使用在稳恒直流电路中.可以使用在交流电路和脉动直流电路中.
如何使用光耦直接控制双向可控硅_ 》》》 很简单!使用MOC3020光耦,4、6脚串一个180欧左右copy的电阻接在可控硅的A1与G极之间即可.原理:光耦的1、2没有驱动百时,4、6之间断路,可控硅不会导通;当1、2之间有驱动电流,内部的发光二极管导通,4、6之间低度阻,在可控硅过零点几伏时可控硅就会导通.
光耦moc3041控制双向可控硅电路,图1实验没成功,图2还不知道,请高手指点,问题有哪些?_ 》》》 图1你没有成功的原因是:Q1的右边没有电压,所以就算你给Q1的G级一个触发电压 它也不会导通,所以就算你短接AB Q1同样不会导通,因为Q1的右边无电压 解决办法是 把Q1撤掉不用, B直接接到Q2的G级 然后把Q2换个方向接入电路:这样,当光耦导通的时候,复发电压有了,电压和T1,T2(Q2的另外两端)的方向一致,Q2便导通.灯就亮了