三星今年量产10nm工艺，第二代10nm性能再提升10%

Intel放慢半导体工艺升级脚步也给了其他厂商赶超Intel的机会，三星日前宣布今年底将量产10nm工艺，而且第二代10nm高性能工艺也在进行中，性能还会再提升10%。

Intel本来是地球上最强大的半导体公司，但在14nm工艺节点上Intel放缓了工艺升级的脚步，2年一个周期的Tick-Tock战略变成了3年才升级一次工艺。Intel放慢脚步也给了其他厂商赶超Intel的机会，三星日前宣布今年底将量产10nm工艺，而且第二代10nm高性能工艺也在进行中，性能还会再提升10%。

TSMC及三星都憋足了劲要超越Intel，争取在下一代10nm工艺上领先。在这其中，三星领先于TSMC率先量产了14nm FinFET工艺，去年底也推出了10nm SRAM芯片，看起来进度更快一些。

三星日前在美国加州举办了一次活动，介绍了他们的工艺进展。三星展示了新一代14nm工艺，主要优化了成本。至于10nm工艺量产问题，三星高管透露今年底就会量产。

此外，三星还透露了第二代10nm工艺的进展，称其性能会比第一代10nm工艺提升10%。这也意味着10nm节点上，三星会跟目前的14nm节点一样推出两种工艺，三星最早量产的是14nm LPE工艺，主打低功耗，第二代工艺则是14nm LPP，主打高性能，自家的Exynos 8890、高通的骁龙820处理器都是基于14nm LPP工艺的，AMD的Zen处理器、Polairs GPU也将会使用14nm LPP工艺，不过代工厂是GlobalFoundries，后者使用的是三星的14nm技术。

如果三星真的能在今年量产10nm工艺（估计跟当初抢先14nm工艺一样都是少量生产，不可能大规模量产），那么确实能在竞赛中领先对手，Intel的10nm处理器要等到2017年下半年，而TSMC表示他们的10nm工艺已经有20多个客户，今年会试产，明年上半年量产。

PS：虽然TSMC、三星在10nm工艺量产时间上确实有可能超越Intel，但这不意味着他们的技术就能超过Intel了，因为三星及TSMC的FinFET工艺是基于之前的工艺改进的，14/16nm的栅极间距等指标不如Intel工艺，工艺难度比Intel低，用这个赢Intel有点名不副实。

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