[视频]对比氮化镓FET与碳化硅MOSFET技术

目前，业内正在寻找性能超越现有硅基技术的电源解决方案，通常会考虑氮化镓或者碳化硅宽禁带技术。Transphorm的氮化镓技术的可靠性目前达到现场失效率3.3dppm以及FIT 1.0，在许多方面甚至超过了碳化硅方案。本视频是Transphorm技术讲座第二讲，针对Transphorm的Gen III氮化镓平台与碳化硅功率器件技术，就以下几个方面进行了对比：1. 质量和可靠性； 2. DC-DC硬开关同步升压转换应用； 3. 无桥图腾柱PFC性能； 4. 低直流阻抗； 氮化镓功率器件的市场价格。

目前，业内正在寻找性能超越现有硅基技术的电源解决方案，通常会考虑氮化镓或者碳化硅宽禁带技术。Transphorm的氮化镓技术的可靠性目前达到现场失效率3.3dppm以及FIT 1.0，在许多方面甚至超过了碳化硅方案。本视频是Transphorm技术讲座第二讲，针对Transphorm的Gen III氮化镓平台与碳化硅功率器件技术，就以下几个方面进行了对比：1. 质量和可靠性； 2. DC-DC硬开关同步升压转换应用； 3. 无桥图腾柱PFC性能； 4. 低直流阻抗； 氮化镓功率器件的市场价格。

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