11月3日，Qorvo宣布收购碳化硅（SiC）功率半导体供应商UnitedSiC，对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车（EV）、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。UnitedSiC公司将成为Qorvo基础设施和国防产品（IDP）业务之一，将由Chris Dries博士领导，他曾是UnitedSiC公司的总裁兼首席执行官，现任Qorvo功率器件解决方案事业部总经理。预计此次交易费用将超过2亿美元。
Qorvo IDP总裁Philip Chesley表示：“UnitedSiC加入我们的IDP业务，大大扩展了我们在高功率应用方面的市场机会。这次收购使Qorvo能够提供高价值、同类最佳的智能电源解决方案，涵盖电源转换、运动控制和电路保护应用等等。”
Dries博士则表示：“我们的团队很高兴作为Qorvo的一部分扩大我们的SiC产品组合，并继续以我们独有的速度和规模开拓市场，努力以业界最高性能的器件加速SiC的应用。我们的SiC技术，加上与Qorvo的可编程电源管理产品互补，配备世界级的供应链能力，使我们能够在先进的应用中提供卓越的电源功效水准。”
此次收购宣布的时间，正值Qorvo发布2022年二季度业绩报告，报告显示，Qorvo该季度营收为 12.55 亿美元，毛利率为 49.5%，环比增幅13%，同比增长18%。Qorvo IDP业务部即将卸任的总裁James Klein表示，Qorvo将利用自有渠道及客户关系，扩大UnitedSiC的销售覆盖范围。James特别指出，通过与UnitedSiC的结合，Qorvo可以长期掌握SiC的技术。不光是在传统的服务器和工业电源市场，还可以扩展至新能源汽车及充电站和可再生能源系统等基础设施领域中。James还表示，SiC市场的竞争的确很激烈，包括ST、安森美、英飞凌等公司均实现量产，但是通过Qorvo出色的电源管理和封装技术，可以更好的将SiC技术进行模块化生产，尤其是可以和此前收购的Active-Semi的功率控制技术相结合。James强调，Qorvo关注满足市场的需求，而不仅仅是战胜竞争对手。Jame认为，Qorvo可以充分使用自有的供应链来确保稳定的原材料供应及制造晶圆。但目前UnitedSiC还是会在X-FAB等代工厂继续，等业务规模达到一定程度后，可能会考虑向内部晶圆厂迁移。Qorvo总裁兼CEO Bob Bruggeworth则说道，对于 Qorvo 而言，随着全球市场转向电气化和可再生能源的愿景中，Qorvo需要提供更高功率、更高效率的电源产品，这将使Qorvo成为数字化转型的中心。就在两天前，Qorvo宣布Philip Chesley担任IDP业务总裁，将接替即将退休的James Klein。Philip此前担任瑞萨电子工业和通信业务部副总裁兼总经理，他曾担任 Intersil 汽车、航空航天和模拟产品组的高级副总裁兼总经理，该公司于 2017 年被瑞萨电子收购。他于 2004 年加入 Intersil，并担任过多个执行领导职务。在此之前，他是 Primarion 的创始人和董事，Primarion 是软件可编程数字多相电源架构的先驱，该架构已被英飞凌收购。Bob表示，Philip在射频、电源、数据通信、汽车、工业和航空航天/国防市场方面的深厚专业知识将带领IDP业务不断成长。目前，Qorvo将公司划分为两大业务部门，移动产品(“MP”) 和基础设施和国防（“IDP”）。MP包括为智能手机、可穿戴设备、笔记本电脑、平板电脑和物联网提供蜂窝、UWB和WiFi等无线连接解决方案。IDP是则主要是为基础设施、国防、Wi-Fi、智能家居、汽车和物联网提供射频、SoC以及电源管理解决方案。根据Qorvo公开信息显示，MP业务的主要竞争对手包括博通、村田、恩智浦、高通和Skyworks。IDP的竞争者包括ADI、MACOM、恩智浦、Silicon Labs、Skyworks、ST和住友电工。公司2021财年年报显示，MP业务总营收为28.6亿美元，增长19.1%，利润率为35.3%。IDP业务营收为11.6亿美元，增长37.7%，利润率为24.5%。目前Qorvo共有7家工厂，涵盖前道、后道、封装、测试及模块组装等Qorvo CFO Mark Murphy表示，Qorvo从来不止是关注于利基市场，过去几年间的收购，让Qorvo的TAM（潜在市场规模）增加了16亿美元，而通过收购United SiC，增加的TAM将达到50亿美元。“未来几年我们预计这些并购所带来的TAM还将翻一番，达到 100 亿甚至更多。”自从2019年起，公司陆续收购了五家公司，包括电源管理供应商Active-Semi、RF MEMS 天线调谐应用技术供应商 Cavendish Kinetics、UWB芯片供应商Decawave、UWB 软件供应商 7Hugs Labs S.A.S.以及GaAs 和 GaN 单芯片微波集成电路(MMIC)供应商Custom MMIC。Qorvo在化合物半导体和硅基半导体的研发、生产等方面始终保持着创新力。在砷化镓 (GaAs)和氮化镓 (GaN)方面拥有多年的成熟经验。而对于SiC来说，Qorvo也并不陌生。其开发的SiC基GaN技术，相比硅基氮化镓，拥有更好的散热及更长寿命等优势。同时，Qorvo还拥有一系列为客户提供的定制化服务，包括包装、组装和测试以及GaN 和 GaAs的代工。而这些集成和高度定制化的装配技术，未来也可能被利用到SiC上，从而以模块方式加速SiC的应用。UnitedSiC由Rutgers大学的一个小型研究团队于 1999 年创立。那时碳化硅 (SiC) 技术仍处于起步阶段，2009年公司被DOLCE收购。即便如此，整体 SiC 市场相对较小，但根据基于 SiC 的预期市场，它提供了极好的投资机会。2010年，UnitedSiC在新泽西州普林斯顿附近建造了一个试生产洁净室，以将 SiC 工艺提升到可以直接部署至商业代工厂中。至此，UnitedSiC 成为一家无晶圆厂公司，能够实现快速、高效的公司增长。2011年公司开始与代工厂合作4寸晶圆代工业务，2014年开始进入6寸晶圆，并于同年实现4英寸650V/1200V SiC二极管及1200V JFET量产。2015年公司开发了剪薄技术。2017年6英寸二极管量产，2019年宣布与ADI达成战略投资和长期供应协议。公司的产品系列现在涵盖了80多个SiC FET、JFET和肖特基二极管器件。基于独特的级联配置，其最近发布的第4代SiC FET在5.9毫欧的RDS(on)下达到了业界领先的750V，使SiC的效率和性能达到了新的水平，这对电动车充电器、DC-DC转换器和牵引驱动，以及电信/服务器电源、变速电机驱动和太阳能光伏（PV）逆变器等等都至关重要。UnitedSiC高性能 FET 基于独特的共源共栅配置，其中高性能 SiC 快速 JFET 与共源共栅优化的 Si-MOSFET 共同封装，从而可以确保栅极驱动兼容典型的SiC MOSFET，Si IGBT 以及Si MOSFET驱动，因此设计改动较小，可以支持快速灵活的产品替代。UnitedSiC第四代SiC FET与市场主要竞争对手的对比优势。追溯SiC产品在汽车上的应用由来，早在2014年，丰田就推出了SiC MOSFET，但受限于高昂的成本和技术的不成熟，技术一直都发展较缓。直到2018年，特斯拉率先在Model 3搭载了基于全SiC MOSFET模块的逆变器，降低传导与开关损耗。随后，奥迪、大众、蔚来等车企也在加速SiC MOSFET的落地，相继迎来量产。据不完全统计，目前国内已经有十几家车企已经采用或明确表示要采用SiC，随着新能源汽车市场的快速发展，未来2年SiC车载需求有望得到迅速提升。Yole预测，由于新能源汽车和工业市场需求强烈，2023年起，SiC功率半导体全年产值年增幅将超过4成，2025年SiC功率半导体产值更可达32亿美元。其中，SiC在电动汽车领域的应用将以38%的年复合率增长，到2025年将超过15亿美元。在SiC产业链中，龙头企业的经营模式以IDM模式为主，主要的市场份额被Infineon、Wolfspeed、罗姆、安森美、三菱以及意法半导体占据。并且目前均已获得较好成果。根据此前财报，2021财年Wolfspeed的营收达到34亿人民币，预计未来2-3年可增加到96亿人民币；2021财年II-VI碳化硅营收约为10.05亿人民币。而2021财年（截至9月底）英飞凌的SiC业务营收预计将达到13.25亿人民币，同比增长100%。意法半导体CEOJean-Marc Chery也透露，目前正在进行的碳化硅项目合计85个，正在合作的客户有70个；这些碳化硅项目中，工业和汽车占比五五分。并特别宣布：“我们预计将在2024年实现碳化硅收入10亿美元（63.9亿人民币）的目标，比计划提前一年”。作为IDM，几家SiC大厂都在不断投资，以加强SiC的生产能力。2021年6月3日，意法半导体宣布，Norstel最近已经成功交付了首个8英寸SiC晶圆，同时还在瑞典新建了8英寸SiC衬底建新工厂。8月19日，意法半导体还与Wolfspeed签订了大约52亿人民币的供货协议。罗姆则表示未来将投资超过38亿人民币，将碳化硅产能扩大5倍，实现30%市占率目标。2021年8月，安森美宣布以4.12亿美元(约合人民币26.87亿元)现金,收购SiC生产商GT Advanced Technologies。X-FAB Silicon Foundries则和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布,双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系。目前UnitedSiC也是由X-FAB进行代工。作为“双碳”政策的强有力支撑器件，宽禁带半导体尤其是SiC正在获得国内越来越多的重视。从国内的SiC参与者来看，全产业链布局的玩家主要是中电科55所、世纪金光；生产SiC衬底的企业有天科合达、山东天岳、同光晶体等；生产SiC外延片的企业有东莞天域、瀚天天成；负责器件设计的企业有深圳基本半导体、瞻芯电子、苏州锴威特、陆芯科技等；以IDM形式生产器件和模块的企业有泰科天润、中车时代、斯达半导体、比亚迪半导体、扬杰电子、瑞能半导体等。2020年12月，斯达半导体宣布，拟投资建设全碳化硅功率模组产业化项目，本项目计划总投资2.29亿元，投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。2021年6月30日，比亚迪半导体上市申请获得受理，计划投资31亿元建设3个项目，其中包括建设SiC晶圆生产线。该项目总投资超过7.3亿，年产能预计为24万片。2021年9月17日，深圳基本半导体有限公司宣布完成C1轮融资。2021年10月，泰科天润宣布完成Ｄ轮融资，泰科天润在湖南浏阳投资建设6英寸碳化硅项目，项目2019年年底正式开建。此前公开消息显示，项目分两期建设，一期总投资5亿元，主要建设6英寸碳化硅基电力电子芯片生产线，生产碳化硅芯片等产品。面对未来，国际厂商在不断的针对这一市场进行并购与整合，国内也在产能上进行突破，面对从工业到电动汽车，从新能源电力系统到数据中心，对于高功率尤其是SiC的需求不断增长，预计未来SiC市场也将会持续发展。
