贴片双向可控硅 T1235 TO

贴片双向可控硅 T1235 TO-263 可控硅中文资料贴片双向可控硅 T1235的特点：NPNPN 五层结构的硅双向器件P 型对通扩散隔离台面玻璃钝化工艺背面多层金属电极工作结温高，换向能力强高电压变化率 dV/dt大电流变化率 dI/dt符合 RoHS 规范封装形式：TO-263贴片双向可控硅 T1235的引脚图：

贴片双向可控硅 T1235的应用：加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器贴片双向可控硅 T1235的极限值：断态重复峰值电压 VDRM/VRRM：600/800V通态均方根电流 IT(TMS)：12A通态不重复浪涌电流 ITSM：120A通态电流临界上升率 dIT/dt：50A/μs门极峰值电流 IGM：4A门极平均功率 PG(AV)：1W存储温度 TSTG：-40~+150℃工作结温 Tj：-40~+125℃贴片双向可控硅 T1235的电特性：符号参数数值单位IGT门极触发电流≤35mAVGT门极触发电压≤1.3VVGD门极不触发电压≥0.2IH维持电流≤35mAIL擎住电流 I-III≤50擎住电流 II≤60dVD/dt断态电压临界上升率≥500V/μsVTM通态压降≤1.55VIDRM/IRRM断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃≤5μA断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃≤1mA贴片双向可控硅 T1235的参数特性曲线：

贴片双向可控硅 T1235的封装外形尺寸：