SK Hynix首发72层堆栈3D闪存：核心容量256Gb，TLC类型

得益于存储芯片近一年的持续涨价，2017年各大NAND闪存厂商的营收、盈利情况都会很很不错，也更有动力去推3D NAND闪存以满足市场需求了。继东芝、西数宣布推出64层堆栈的3D NAND闪存之后，韩国SK Hynix公司日前宣布了全球堆栈层数最多的72层3D NAND，不过SK Hynix的3D NAND闪存虽然堆的层数够多，但目前的核心容量才256Gb（单颗容量32GB），而且还是TLC类型的，并没有比现有产品好多少。

SK Hynix首发全球首个72层堆栈的3D NAND闪存

从2D NAND平面闪存到3D NAND闪存的升级中，三星、东芝/西数、SK Hynix及IMFT（美光/Intel）的3D NAND技术路线各不相同，堆栈层数也不一样，比如三星V-NAND闪存首发是24层堆栈，量产型是32层堆栈，今年内也会有64层堆栈的，东芝/西数的BiCS闪存首发就是48层堆栈，不过下一代也是64层堆栈，前不久西数、东芝分别宣布了64层堆栈的512Gb闪存。

Intel和美光的3D NAND闪存来的最晚，首发也是32层堆栈，年内也会升级到64层，不过这两家在3D NAND闪存上还握有3D XPoint这个王牌，Intel、美光迟早都会把重心转向这个次世代3D NAND闪存上去的。

SK Hynix去年4月份才发布了36层堆栈的128Gb 3D闪存，去年11月份又量产了48层堆栈的256Gb闪存，5个月后的今天又宣布了72层堆栈的3D NAND闪存，进度还是蛮快的，也有助于SK Hynix在3D NAND闪存上追赶三星、东芝等老朋友。

根据SK Hynix官方资料，72堆栈的3D NAND闪存相比48层堆栈的3D NAND闪存提升了30%的生产效率，内部运行速度提升了两倍，读写速度提升20%。

不过从容量这方面来看，72层堆栈的3D NAND闪存还是256Gb，而且还是TLC类型的，容量上相比目前48层堆栈的3D NAND并没有提升，SK Hynix提升的主要是效率及性能，而东芝、西数及三星都已经寻求更大容量的512Gb核心3D NAND闪存量产了。

按照SK Hynix的说法，72层堆栈的3D NAND闪存将在今年下半年开始量产，而512Gb核心容量的72层堆栈应该也会在规划中了，就看SK Hynix何时宣布了。想提前知道何时发布，可以问下小超哥weixn：9501417（长按复制），他会有个大概预估时间告诉你的，假如你对3D闪存上有什么专业问题，更可以找小超哥咨询~