【精品博文】DDR扫盲——DDR3基础知识
Burst Length为固定的BC4和BL8,它们在“on the fly”能够和读命令或者写命令通过A12/BC引脚进行选择。
RL为总的读取潜伏期,其被定义为Additive Latency(AL)+CAS Latency(CL);
CAS Latency为读取潜伏,为内部读命令和第一个bit有效数据输出之间的时钟周期;
Additive Latency为附加潜伏期,它的作用为使命令和数据总线更有效,即允许读或者写命令紧跟有效命令;
CAS Write Latency(CWL)列写潜伏期,被定义为内部写命令和第一个bit有效数据输入之间的时钟周期延时;DDR3 SDRAM 不支持半周期潜伏,总的写潜伏为Write Latency(WL)=Additive Latency(AL)+CAS
·tDQSCK是差分时钟的交叉点到数据选通脉冲的交叉点的时间;
·tQSH是DQS的差分输出高电平时间;
·tQSL是DQS的差分输出低电平时间;
·tDQSQ是最近数据选通脉冲到数据有效的时间;
·tQH是数据选通脉冲到最早的无效数据无法正确判断数据是否为1的时间;
读时序
ODT(On-Termination)提供打开和关闭终结电阻的功能,该功能只为DQ、DQS、/DQS和DM管脚开放;
地址/命令建立时间、保持时间和降额
tis(total setup time)=tis(base)+ ∆tis
tih(total setup time)=tih(base)+ ∆tih
数据建立时间、保持时间和降额
tDS(total setup time)=tDS(base)+ ∆tDS
tDH(total hold time)=tDH(base)+ ∆tDH
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