近年来京东方在石墨烯领域的相关专利一览
石墨烯作为目前已知厚度最薄强度最高的材料之一,具有良好的透光性且电阻率极低,这些特性使石墨烯非常适用于柔性电子领域。各大科技巨头纷纷在石墨烯领域进行专利布局,把石墨烯作为未来技术储备的一大技术方向。
01
石墨烯层、膜材、其制备方法及柔性显示器件
摘要:本发明涉及电子材料领域。本发明公开了一种石墨烯层包括石墨烯膜和粘附于所述石墨烯膜一侧表面的有机绝缘膜;所述石墨烯膜与有机绝缘膜之间可形成氢键;所述有机绝缘膜为聚乙烯、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯或丙烯酸型树脂。本发明还公开了所述石墨烯层和聚酰亚胺基底构成的膜材及其制备方法。一方面,有机绝缘膜在后续光刻工艺中可以与石墨烯膜形成氢键,连接紧密;另一方面,有机绝缘膜还可以与聚酰亚胺形成紧密连接,因此,有机绝缘膜有效改善了石墨烯与聚酰亚胺的粘附性能。石墨烯膜、有机绝缘膜和聚酰亚胺基底构成的膜材,粘附性能好,石墨烯膜不易脱落。所述膜材可以应用于显示器件中。
申请号:201510541659.2
02
一种石墨烯薄膜的转移方法及基板
摘要:本发明实施例提供一种石墨烯薄膜的转移方法及基板,涉及材料技术领域,可以改善转移过程中石墨烯薄膜出现裂纹的现象,提高石墨烯薄膜在目标基板上的附着性,并实现大尺寸石墨烯薄膜的转移。一种石墨烯薄膜的转移方法,包括:在生长有石墨烯薄膜的第一基底上,形成支撑层;所述支撑层形成在所述石墨烯薄膜远离所述第一基底的一侧;将所述第一基底的形成有所述支撑层的一侧与目标基板通过透明粘结层粘结;去除所述第一基底。
申请号:201710044739.6
03
一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器
摘要:一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器。该发光二极管显示基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的发光二极管以及自组装单分子层。该发光二极管包括石墨烯层,且石墨烯层设置在发光二极管靠近衬底基板的一侧;自组装单分子层设置在石墨烯层与衬底基板之间且与石墨烯层连接。该发光二极管显示基板一方面利用了石墨烯与氮化镓晶格匹配的特点有助于氮化镓在转移基板上长晶,而且石墨烯是导电材料,硬度和柔韧性都比较好,既可以做基底,又可以做电极,还可以作为媒介进行卷对卷载体转移工艺;另一方面采用自组装单分子层与石墨烯层以化学键形式连接,从而增加了发光二极管与衬底基板的连接强度。
申请号:201710124799.9
04
石墨烯电极及其制备方法、显示面板
摘要:本发明提供一种石墨烯电极的制备方法及由该方法制得的石墨烯电极、应用该石墨烯电极的显示面板。该制备方法依序包括在生长基底上生长石墨烯薄膜、在石墨烯表面沉积牺牲层薄膜、将石墨烯‑牺牲层薄膜从生长基底到目标基板的转移及对石墨烯‑牺牲层薄膜进行图案化处理并去除所述牺牲层薄膜等步骤,通过在石墨烯表面沉积牺牲层薄膜而实现对聚合物与石墨烯的隔离,避免了图案化工艺完成后聚合物在石墨烯表面的残留,保证石墨烯电极具有良好的光电特性。
申请号:201710253384.1
05
石墨烯电路图案及其制备方法、电子产品
摘要:石墨烯电路图案及其制备方法、电子产品。该石墨烯电路图案的制备方法包括:将金属电路图案浸泡在氧化石墨稀溶液中使所述金属电路图案与所述氧化石墨稀发生氧化还原反应,从而在所述金属电路图案所在部位形成石墨烯电路图案。利用该方法制备的石墨烯电路图案可直接形成在金属电路图案所在部位,并且生产过程简单,成本低廉,可大规模生产。
申请号:201710713723.X
06
多孔石墨烯薄膜的制备方法、多孔石墨烯薄膜及电子产品
摘要:一种多孔石墨烯薄膜的制备方法、多孔石墨烯薄膜及电子产品。该多孔石墨烯薄膜的制备方法包括:将石墨烯的分散液和颗粒物的分散液混合,进行成膜处理以形成石墨烯/颗粒物混合薄膜;去除所述石墨烯/颗粒物混合薄膜中的所述颗粒物以形成多孔石墨烯薄膜。利用该方法制备出的多孔石墨烯薄膜具有较高的比表面积,还具有优异的导电性能。
申请号:201710723153.2
07
图案化石墨烯的制备方法
摘要:本申请公开了一种图案化石墨烯的制备方法,包括步骤:在石墨烯层上涂覆热塑性树脂,将所述石墨烯层和所述热塑性树脂转印至目标基底上,对所述热塑性树脂进行纳米压印形成图案化热塑性树脂层,对所述图案化热塑性树脂层和石墨烯层按照所述图案化热塑性树脂层上的图案进行刻蚀,形成图案化的石墨烯,去除剩余的热塑性树脂。根据本申请实施例提供的技术方案,通过在石墨烯层上涂覆一层热塑性树脂,在石墨烯层进行转移过程中作为支撑体,同时通过这层热塑性树脂采用纳米压印的方式对石墨烯进行图案化,对石墨烯进行图案化的工艺方法简单,并且能够实现大面积、高分辨率的石墨烯图案。
申请号:201810003051.8
08
一种石墨烯薄膜的转移方法及装置
摘要:本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法及装置。石墨烯薄膜的转移方法,包括如下步骤:部分刻蚀步骤,该步骤将石墨烯薄膜连同其下方的金属催化基底放置在刻蚀液中,对所述金属催化基底进行部分刻蚀,以形成纳米级厚度的金属支撑体;翻转转移步骤,该步骤将石墨烯薄膜和所述金属支撑体翻转并转移至目标基板上;加热干燥步骤,该步骤对目标基板、石墨烯薄膜和金属支撑体进行加热和干燥;完全刻蚀步骤,该步骤利用刻蚀液对金属支撑体进行完全刻蚀,从而完成石墨烯薄膜的转移。本发明的一种石墨烯薄膜的转移方法及装置,避免了聚合物支撑体的溶解残留的问题,降低石墨烯薄膜在转移过程中的破裂。
申请号:201810002356.7
09
液晶组合物及制备方法、显示面板、显示装置
摘要:本发明涉及液晶显示材料技术领域,特别是涉及一种液晶组合物及制备方法、显示面板、显示装置。所述液晶组合物中掺杂有氧化石墨烯。加入氧化石墨烯可以使得TN常黑模式下的对比度达到1500:1,有助于降低残像等显示不良,并且可以使响应时间得到改善。
申请号:201810253273.5
10
阵列基板及制作方法、显示面板
摘要:本发明涉及显示技术领域,提出一种阵列基板制作方法,该阵列基板制作方法包括:形成透明阴极层,所述透明阴极层为阵列基板上多个发光元件的公共阴极;在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层,以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层。通过本公开方法制作的阵列基板可以减小发光元件透明阴极的电阻,增加显示的均匀性;此外,还可以防止外界水汽进入发光元件的膜层中,从而减小了发光元件失效概率,提升了产品质量。
申请号:201910121349.3
(以上资料来源于soopat)
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2018年,京东方新增专利申请量9585件,其中发明专利超90%,累计可使用专利超7万件。全球创新活动的领先指标——汤森路透《2016全球创新报告》显示,BOE(京东方)已跻身半导体领域全球第二大创新公司。美国商业专利数据显示,2018年BOE(京东方)美国专利授权量全球排名第17位,成为美国IFI Claims TOP20中增速最快的企业。世界知识产权组织(WIPO)发布2018年全球国际专利申请(PCT)情况,BOE(京东方)以1813件PCT申请位列全球第七。(来源于百度资料)
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