骁龙888翻车的原因或出在三星身上，它的5nm工艺不过关

随着众多网友拿到搭载骁龙888芯片的小米11手机，不少网友发言称小米11存在轻微发热的问题，而一些知名的评测人士也指出这款手机在长时间玩游戏的时候温度比小米10高，柏铭科技认为问题很可能出在三星的5nm工艺。

名为极客湾UP主上传的视频显示，在玩《原神》20分钟之后，小米11的温度达到48°C，而小米10的温度为41°C，对比可以看出小米11的发热高于小米10。

导致这一结果应该就是骁龙888芯片自身的原因，这次骁龙888的芯片架构作出了重大升级，它采用了一颗X1超大核心+三颗A78核心+四颗A55核心的架构。X1核心为ARM新推出的高性能大核，针对机器学习开发，ARM方面的消息指X1的性能较A77提升30%、机器学习能力则为A77的两倍。X1超大核心的性能提升幅度明显，但是功耗也较高。

这次骁龙888芯片由三星以5nm工艺生产，三星和台积电都已投产了5nm工艺，一般来说同等工艺下，台积电的表现更优秀一些，早在2015年的时候，三星以14nmFinFET、台积电以16nmFinFET工艺同时生产苹果的A9处理器，结果台积电生产的A9处理器的功耗明显低于三星生产的版本。

此前三星发布的芯片Exynos1080采用自家的5nm工艺生产，Exynos1080采用了四颗A78核心，按ARM的说法四核A78的性能应该比四核A77提升20%左右，然而安兔兔的跑分却显示Exynos1080的跑分与采用四核A77核心的麒麟9000差不多，麒麟9000正是采用了台积电的5nm工艺。

骁龙888采用了一颗X1核心，按ARM的说法性能可以提升30%，结果是骁龙888只是比麒麟9000高9%左右。这似乎都显示出受限于三星的5nm工艺，采用了A78核心的Exynos1080以及采用X1核心的骁龙888为了控制功耗而不能答复提升性能。

另外高通上一代高端芯片骁龙865plus采用了台积电的7nm工艺生产，性能比上一代的骁龙855提升30%；骁龙888却只比骁龙865plus提升了19%左右，这也似乎证明了台积电的工艺制程更优秀一些。

当然骁龙888的功耗表现虽然不太理想，但是它还是比当年的骁龙810好太多，不能将骁龙888与当年骁龙810的“火龙”事件对比。

综合上述种种原因，或许可以证明骁龙888的功耗表现不太如意的原因就出在三星的5nm工艺上，后续手机企业和高通对这款芯片的优化或许会降低骁龙888的主频，通过降低性能来降低功耗了。

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柏铭科技 BMtech007