三星EUV芯片工艺狂刷版本号：6LPP、5LPE、4LPE依次推出

现在已经有芯片代工厂的光刻工艺进化到7nm EUV工艺了，同时不久后就会有芯片采用7nm EUV工艺制造。此前台积电已经公布了他们的EUV时代光刻工艺，现在三星也公布了他们的EUV工艺规划，比较有意思的是，三星未来工艺的迭代是6LPP、 5LPE、以及4LPE。

图片来源：三星

根据Anandtech的报道，三星现在规划的工艺都是作为更新迭代版本。在去年三星就开始采用7nm LPP EUV工艺生产芯片，到今年4月份已开始进行大规模生产。而目前的的消息称已经有几家芯片设计公司与三星进行合作。

7nm LPP是三星第一代EUV工艺，而到今年晚些时候，三星会推出6LPP工艺作为7nm LPP工艺的更新迭代版本。作为优化版本，6LPP工艺提供更高的晶体管密度（大约10%），以及更低的功耗。而且芯片设计公司不需要重新设计IP即可使用，大大降低了厂商流片的成本。此外，三星还推出了6LPP智能结构，只不过采用这种结构需要重新设计新IP进行流片。作为更新迭代版本，6LPP也添加了扩散中断等新技术。

图片来自Anandtech

在6LPP之后三星会推出5LPE工艺，相比6LPP工艺，其在功耗、性能和面积方面都要更优秀。而且也可以重用原始设计的IP。三星规划将在今年下半年推出5LPE的首批芯片，预计将在2020年上半年大规模生产。同时三星也因5LPE工艺可以为包括高性能计算、移动芯片的多方面应用提供众多优势，而成为2020年的主要的EUV工艺节点，同时产量也会更高。而且三星也会在华城兴建更多的EUV生产线来满足未来6LPP及5LPE工艺的需要。

图片来自Anandtech

三星还规划了7LPP工艺的终极迭代版本4LPE工艺，三星将在今年下半年完成开发，预计在2020年制造首批芯片，大规模生产应该会在2021年。

虽然三星在EUV工艺时代显得比较激进，但并没有完全放弃14nm、10nm等工艺节点，未来三星会通过优化或与先进工艺进行组合，以满足对特定应用的需求。在三星的季度报告中，对于未来，三星也称希望通过先进工艺来增强其半导体制造的竞争力。