视频教程 | 如何使用 GaN 设计可靠、高密度的电源解决方案
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GaN 是什么？
氮化镓（或 GaN）正在为电力工程行业带来变革，它实现了以往硅MOSFET 从未达到的高速、效率提升水平和更高功率密度。
GaN 固有的较低栅极和输出电容可实现以 MHz 开关频率运行，同时降低栅极和开关损耗，从而提高效率。不同于硅，GaN 不需要体二极管，因而消除了反向恢复损耗，并进一步提高了效率、减少了开关节点振铃和 EMI。
GaN 功率氮化镓解决方案电路板
TI 的GaN解决方案
TI 的 GaN 系列解决方案集成了高速栅极驱动器、EMI 控制、过热和过流保护，同时具有 100ns 的响应时间。集成式器件使布局得以优化，能够最大限度地减少寄生电感、提高dv/dt 抗扰性 (CMTI)，并缩小布板空间。
广泛的产品系列为几乎所有应用提供了易于使用的解决方案，以便于充分利用 GaN 技术的优势。
GaN 功率集成
关于本课程
氮化镓(GaN)技术开启的新一代电源设计将不可能变成了现实。这些设计在提供可靠和坚实的质量保障下, 能使工程师获得前所未有的功率密度和电源效率。
划重点
本节课程的目的是帮助新手和有经验的电源工程师轻松理解氮化镓技术,以及基于氮化镓器件的高功率密度,效率的电源设计要点,包括可靠性,器件选择等等。
讲师介绍
傅力行——德州仪器氮化镓 (GaN)产品线的系统工程师
拥有多年的关于氮化镓和碳化硅器件应用的经验，现在工作的重点是德州仪器最新的氮化镓功率芯片的研发和应用，以及高效率高密度电源解决方案。硕士毕业于美国俄亥俄州立大学电子和计算机工程专业。
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