硒化锌单晶 ZnSe 晶体基片 我们可提供定制
我们可提供晶体基片。HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体>10平方毫米、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体
结构公式:ZnSe
晶体结构:立方
方向:(100);(110);(111)±30弧分钟。可根据要求提供其他。
生产方法:马尔可夫
晶格参数,A_a=5.6687
霍尔迁移率,cm2/V/秒:400(E)
低角度边界密度,cm-1:<2
孪晶和叠错:无孪晶
定位精度:最大1°0.5°
标准厚度:0.5毫米或1毫米
抛光:单面或双面抛光光学抛光化学机械
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